电工电子A2 第一章.ppt

复习：PN结 正向偏置 外电场 I 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 2.三极管内部载流子的运动规律 复习：PN 反向偏置 外电场 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － – + 内电场加强，少子的漂移加强。 2.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IC 基区大部分电子在电场力作用下进入集电区(漂移运动)形成ICN IB 基极电流IB主要为复合电流IBN， IB≈IBN 且有： β——共射电路电流放大系数，在一定的电流范围内为常数。 1.5.3 特性曲线（伏安关系） B E C N N P EB RB EC RC IC IB IC EB UCE UBE RB IB EC + + – – – + 输入 回路 输出 回路 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 O UCE?1V 死区电压： 硅管0.5V，锗管0.1V 发射结典型工作电压： 硅管 UBE ? 0.6~0.7V 锗管 UBE ? 0.2 ~0.3V B E C N N P EB RB EC RC 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 分三个工作区： (1) 放大区 特点： IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 条件：发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置（UCE通常≥1V即可满足） IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区。 条件：发射结反向偏置，集电结处于反向偏置，特点：IB≈0， IC ? 0 。 饱和区 截止区 （3）饱和区 条件：UCE不足。 如集电结正偏时。 特点：IC≤?IB 。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区。 条件：发射结反向偏置，集电结处于反向偏置，特点：IB≈0， IC ? 0 。 饱和区 截止区 （3）饱和区 条件：UCE不足。 如集电结正偏时。 特点：IC≤?IB 。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 练习：分析晶体管的工作状态 IC =βIB=50*0.108=5.4mA 6－UBE RB IB = 解： = (6-0.6)/50K = 0.108mA UCE = UCC－RCIC=12-1*5.4=6.6V 所以，三极管处于放大状态 12V 1KΩ 6V T β=50 50KΩ (a) 假设放大，则: 作业：分析晶体管的工作状态 IC =βIB= 40*0.243 = 9.72mA 12－0.6 RB IB = 解： = 11.4/47K = 0.243mA UCE = UCC－RCIC =12-1.5×9.72= - 2.58V Uce ＜Uces(0.3V)，三极管处于饱和状态 12V 1.5KΩ 12V T β=40 47KΩ (b) 假设放大，则 方法1 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 在后面的计算中，一般作近似处理：? = 。 2. 集电极最大允许电流 ICM 3. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。室温下，基极开路时的击穿电压称为U(BR) CEO。 4. 集电极最大允许耗散功耗PCM 三极管消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC =IC UCE ? PCM 第1章小结 本章要求掌握： 1、三种半导体类型，载流子的数量 2、简述PN结的单向导