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2018-01-22 发布于贵州
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PD - 9.1506 PRELIMINARY IRFR/U9024N ® HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D P-Channel VDSS = -55V Surface Mount (IRFR9024N) Straight Lead (IRFU9024N) R = 0.175Ω DS(on) Advanced Process Technology G Fast Switching ID = -11A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. D -P a k I-P a k The D-Pak is designed for surface mounting using T O -2 52 A A TO -2 5 1 A A vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through- hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible