MMG3H21NT1;中文规格书,Datasheet资料精选.pdfVIP

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2018-01-22 发布于贵州
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MMG3H21NT1;中文规格书,Datasheet资料精选.pdf

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MMG3H21NT1;中文规格书,Datasheet资料精选

Freescale Semiconductor Document Number: MMG3H21NT1 Technical Data Rev. 1, 1/2011 Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) MMG3H21NT1 Broadband High Linearity Amplifier The MMG3H21NT1 is a General Purpose Amplifier that is internally input matched and internally output matched. It is designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 0 to 6000 MHz such as 0--6000 MHz, 19.3 dB Cellular, PCS, BWA, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general 20.5 dBm small--signal RF. InGaP HBT Features • Frequency: 0--6000 MHz • P1dB: 20.5 dBm @ 900 MHz • Small--Signal Gain: 19.3 dB @ 900 MHz • Third Order Output Intercept Point: 37 dBm @ 900 MHz 1 • Single 5 Volt Supply 2 3 • Active Bias CASE 1514--02, STYLE 1 • Internally Matched to 50 Ohms