SVF20N60F(PN)说明书_1.1-L精选.pdfVIP

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2018-01-22 发布于贵州
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SVF20N60F(PN)说明书_1.1-L精选.pdf

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SVF20N60F(PN)说明书_1.1-L精选

SVF20N60F/PN 说明书 20A 、600V N沟道增强型场效应管描述 SVF20N60F/PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。特点 ∗ 20A ，600V ，R =0.28Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装 SVF20N60F TO-220F-3L SVF20N60F 无铅料管 SVF20N60PN TO-3PN 20N60 无铅料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1 2012.11.15 Http:// 共8页第1页士兰微电子 SVF20N60F/PN 说明书极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围参数名称符号单位 SVF20N60F SVF20N60PN 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 20.0 C 漏极电流 ID A T =100°C 12.6 C 漏极脉冲电流 IDM 80.0 A 耗散功率（T =25°C ） 74 258 W C PD - 大于25°C 每摄氏度减少 0.59 2.06 W/°C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS