新型陶瓷第十章3独石结构介质陶瓷.pptVIP

* 独石结构介质陶瓷 独石陶瓷电容器 　　适应电子技术高速发展对电子元器件提出的要求而发展很快的元件之一。 　　　　　几何尺寸小、 　　　　　性能高、 　　　　　寿命长 　　　　　可靠性高等 第十章　电容器陶瓷 第十章　电容器陶瓷 第十章　电容器陶瓷 工艺上的特点： 　　　将涂有金属电极浆料的陶瓷介质坯体 　　　以电极多层交替叠合使陶瓷材料 　　　与电极同时烧成一个整体 　　　形成多个陶瓷电容器相并联而构成的电容器。 采用薄片状结构，叠层可多达几十层。 　　　电容器有较大的比容，1μF容量的独石陶瓷电容器， 　　　比容可达140μF/cm3，且可靠性较好。 I型按不同温度系数，电容量从几pF～10000pF。 　Ⅱ型按不同电容量变化率，电容量从0.0l～2.2μF。 第十章　电容器陶瓷 第十章　电容器陶瓷 独石型电容器的类型： （1）高温烧结型 烧结温度在1300℃以上，电极材料用Pt、Pd耐高温的贵金属。 （2）中温烧结型(国外称为低温烧结型) 烧结温度为1000～1250℃，主要是为了降低独石电容器的成本，用不同比例的Ag／Pd合金电极。 （3）低温烧结型 瓷料的烧结温度降低到900℃或以下，用全银电极或钯含量低的银钯合金电极，使电容器的成本大幅度降低。 第十章　电容器陶瓷 1 . 低温烧结独石电容器瓷料 I型独石电容器瓷料主要以铌铋锌、铌铋镁、钨镁酸铅等系统进行不同温度系数组别的生产。 　Ⅱ型主要以铌镁酸铅瓷料系统按不同容量变化率的组别生产。 1.1 低温烧结Ⅱ型(低频)独石电容器瓷的配方和性能 （1）Pb(Mgl/3Nb2/3)O3-PbTiO3-Bi2O3系统 Pb(Mgl/3Nb2/3)O3缩写为PMN，是该系统的主晶相。PMN是复合钙钛矿型的铁电体，居里温度Tc＝-150C。居里温度时的ε＝12600，常温的ε＝8500，常温的tgδ100×10-4。随着频率增加，居里温度向高温方向移动，但ε下降，tgδ增大。 第十章　电容器陶瓷 PbO:N2O5:MgO＝3：1：1混合物在加热时生成PMN 　　加热到650℃存在着PMN的焦绿石相 　　加热约至790℃，伴随着液相的形成，焦绿石相转变为钙钛矿型PMN。 PMN的成瓷温度在1050~1100℃。 　　PMN：高的介电常数，tgδ也较小，成瓷温度较接近于银电极的烧渗温度(900～9100C)。PMN可以用来制作低温烧结独石电容器。 　　PMN的缺点： 　　居里温度较低和负温损耗较大。为了使PMN的居里点移入经常使用的温度范围内，使用PbTiO3作为移峰剂。 第十章　电容器陶瓷 　　PbTiO3属钙钛矿型铁电体 　　　　　居里温度为500℃ 　　　　　常温介电常数为150，tgδ 300×10-4。 　　在PMN中加入一定量的PbTiO3 　　　　烧成温度在1100℃，不与银电极配合。需引入助熔剂，使瓷料烧成温度降至900℃， 　　　　　引入Bi2O3使瓷料在较低温度下出现液相， 　 Pb(Mgl/3Nb2/3)O3-PbTiO3-Bi2O3瓷料在900℃烧成 　　　　　　居里温度约为0℃ 　　　　　　室温的介电常数约6300，tgδ为50×10-4 　　　　　　绝缘电阻为1011Ω·m。 第十章　电容器陶瓷 在生产与使用中，发现这种瓷料有严重的电性能老化现象，（绝缘电阻在高温和直流电场作用下，随时间延长而逐渐降低） 　　甚至电容器在低压下会发生击穿，使产品质量的可靠性下降。 老化的主要原因是瓷体烧结不够致密，气孔多。 为了提高这种独石电容器抗老化性能，必须进一步降低瓷料的烧结温度，以获得致密的独石化结构完善的坯体。 第十章　电容器陶瓷 (2) Pb(Mgl/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3系统 在Pb(Mgl/3Nb2/3)O3-PbTiO3-Bi2O3系统的基础 　　采用PbCd1/2W1/2O3 (缩写为PCW)代替Bi2O3，作为熔剂。 　瓷料的烧成温度仍在9000C以上，降低烧结温度的效果仍不能满足改善烧结的目的。 　 瓷料中加入1％的硼铅玻璃(红丹85％，硼酸15％，熔制温度600℃)及0.05％Cr2O3，使瓷料具有优良的电性能和抗老化的性能。 瓷料在720℃预烧并保温2h。烧成温度 (900土10)0C，保温1.5h。性能：ε=9000～10000，tgδ=100×10-4，抗电强度为40kV／m，该瓷料的电性能和抗潮老化性能都较好。 第十章　电容器陶瓷 1.2 低温烧结Ⅰ型(高频)