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8光刻胶应变分布光学全场检测方法.PDF
第9卷 第3期 中国光学 Vol.9 No.3
2016年6月 Jun.2016
ChineseOptics
文章编号 20951531(2016)03037906
SU8光刻胶应变分布光学全场检测方法
王 鑫,王永红 ,吕有斌,卢怡如,涂思琪
(合肥工业大学仪器科学与光电工程学院,安徽 合肥230009)
摘要:由于SU8光刻胶的内应力将会影响高深宽比结构的全金属光栅的制作质量,本文针对近年来SU8光刻胶应力测
量困难的情况,提出了一种基于激光剪切散斑干涉技术的SU8光刻胶应变分布测量的新方法。该方法通过对被测胶体
加载前后两幅干涉图像的处理,直接得到被测胶体结构的全场应变分布情况,由胶体的应变变形数据即可反映出内应力
的变化和分布趋势。同时使用ANSYS有限元分析软件对同一被测胶体进行应变仿真模拟研究,获得胶体结构的变形场
仿真数据。组建了实验系统,进行了实验验证,结果表明:实际测量变形量约为 1189 m,仿真的最大变形量为
μ
1088 m,测量误差在允许范围内,且测量的形变趋势与仿真模拟结果相一致,表明激光剪切散斑干涉技术可应用于
μ
SU8光刻胶的应变分布全场无损检测。
关 键 词:剪切散斑干涉;SU8光刻胶;应力分布;应变;仿真模拟
中图分类号:TP394.1;TH691.9 文献标识码:A doi:10.3788/CO0379
Wholefieldopticaldetectionmethodofstraindistribution
ofSU8photoresist
WANGXin,WANGYonghong,LYUYoubin,LUYiru,TUSiqi
(SchoolofInstrumentScienceandOptoelectronicEngineering,
HefeiUniversityofTechnology,Hefei230009,China)
Correspondingauthor,Email:yhwang@hfut.edu.cn
Abstract:ThequalityoffullmetalgratingisaffectedbyinternalstressofSU8photoresist.Consideringthe
stressmeasurementofSU8photoresistisdifficultinrecentyears,theshearographyisappliedtomeasurethe
straindistributionofSU8photoresistwhichcorrespondstothestressdistributionofSU8photoresist.Strain
distributionisacquiredbyprocessinginterferometerimageswhicharerecordedbeforeandafterloadingonthe
testedphotoresist.ThesimulationresultofthesamephotoresistisobtainedbyusingtheANSYSfiniteelement
analysissoftware.Theshearographymea
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