对采用半导体材料的敏感元件若按测量对象进行分类主要.ppt

举例：酶FET 结构：大多数由以有机物所制作的敏感膜与HFET(氢离子场效应管)组成。 原理：进行测量时，由于酶的催化作用，使待侧的有机分子反应生成FET能够响应的离子，离子浓度变化引起栅极电位变化，通过测试漏极电流得出所需信号。 制法：去掉FET的栅极金属，在此处固定生物敏感膜，其表面一旦与若干水分溶化在一起时（称为水合作用），下式中的电位与氢离子浓度倒数的对数(即PH值)成比例。 气相色谱法 气相色谱法 移动相：气体 固定相 固体：气固色谱法 液体：气液色谱法 基本原理：由盛在管柱内的吸附剂或惰性固体上涂着液体的固定相和不断通过管柱的气体的流动相组成。将欲分离、分析的样品从管柱一端加入后，由于固定相对样品中各组分吸附或溶解能力不同，即各组分在固定相和流动相之间的分配系数有差别，当组分在两相中反复多次进行分配并随移动相向前移动时，各组分沿管柱运动的速度就不同。 气相色谱法 涉及到的若干问题： 1）气流系统：气体管路、控制阀门（减压阀、稳压阀）等？ 2）流动相选择：载气的选择与纯化的要求取决于所用的色谱柱、检测器和分析项目的要求？ 3）固定相：材料？宜按“相似性”原则选择固定液；分析非极性样品时用非极性固定液；分析强极性样品时用极性强的固定液。 涂覆工艺？厚度？均匀性？ 4）色谱柱工艺：MEMS工艺？图形？ 5）操作温度：进样室的温度应根据进样方法和样品而定 ，考虑固定相的使用温度范围、分析时间长短、便于定性和定量测定等因素 ？ 本章小结 半导体的定义及重要特性是什么？ 半导体材料如何分类？ 简述半导体中的电子迁移率的温度依赖性。 简述半导体的压阻效应及其机理，及其与金属应变特性的区别？ 举例说明一种半导体敏感元件的基本工作原理。 式中， 决定于导体几何形状发生的变化， 决定于导体变形后所引起的电阻率的变化，对于金属丝而言，第二项可忽略不计。 KS为金属导体应变灵敏系数，其物理含义是单位纵向应变引起电阻的相对变化量，即 或 沿着半导体某晶向施加一定的压力而使其产生应变时，其电阻率将随应力改变而变化，这种现象称之为半导体的压阻效应。不同类型的半导体，其压阻效应不同；同一类型的半导体，受力方向不同，压阻效应也不同，半导体应变片的纵向压阻效应可写为： 由半导体电阻理论可知： 式中：π——半导体材料的纵向压阻系数； E——半导体材料的弹性模量。 所以 （3-6） 式中，1+2μ是由纵向应力而引起应变片几何形状的变化，金属电阻应变灵敏系数主要由此项决定；πE是因纵向应力所引起的压阻效应，半导体电阻应变灵敏系数主要由πE决定，因为一般πE比1+2μ大近百倍，故可得： 其应变灵敏系数为： 压阻效应的解释：当力作用于硅晶体时,晶体的晶格发生形变,它使载流子产生一个能谷到另一个能谷的散射，载流的迁移率发生变化，扰动了纵向和横向的平均有效质量，使硅的电阻发生变化。这个变化随Si单晶的取向不同而不同，即Si的压阻效应与晶体取向有关，是各向异性的。 4.半导体敏感元件 4. 1 射线敏感元件（了解） 4.2 电场、磁场敏感元件 4.3 化学敏感元件 4. 1 射线敏感元件 射线敏感元件：特性参数随外界放射线种类和剂量变化而明显变化的敏感元器件 直接电离作用：在α射线和β射线等带电粒子束的情况下，半导体与射线相互作用产生电子-空穴对的过程为直接电离作用。 间接电离作用：在X射线和? 射线等电磁射线的情况下，主要是光电效应、康普顿效应和由于电子-空穴对的生成而产生的间接电离作用。 短波电磁辐射(如X射线，伽玛射线)射入物质而被散射后，除了出现与入射波同样波长的散射外，还出现波长向长波方向移动的散射现象。 4. 1 射线敏感元件 产生一个电子-空穴对所需的射线的平均能量称为ε值。它与半导体的禁带宽度之间的近似关系： α=2.8，0.5≤b≤5.0 制备射线敏感元件时： 1）根据检测的射线种类和能量来决定所用半导体的种类和敏感元件的形状 2）敏感元件的结构一般采用pn结型、PIN型、表面势垒型等 4. 1 射线敏感元件 测量系统和装置 若射线粒子入射在半导体上，则产生数量为ε除以粒子能量的电子-空穴对。电子-空穴对除被复合或俘获的以外，余下的都被敏感元件的电极收集。用前置放大器可对具有波高正比于收集电荷总量的脉冲进行交换。此脉