硅集成电路工艺基础 第一章 诸论.pptVIP

Si（固体）+ 4HCl（气体）?SiCl4（气体）＋2H2（气体） Si（固体）+ 2HCl（气体）?SiH2Cl2（气体） Si（固体）+ HCl（气体）＋H2（气体）?SiH3Cl（气体） SiHCl3（气体）＋SiH3Cl（气体）?2SiH2Cl2（气体） SiCl4（气体）＋H2（气体）?SiHCl3（气体）＋ HCl（气体） 杂质氯化物如：BCl3、PCl3、AlCl3 副产物：SiCl4、SiH3Cl、2SiH2Cl2等 存在的杂质 对粗三氯硅烷进行精馏 原理：利用各组分沸点的不同来达到分离杂质的目的。 精馏后的三氯硅烷的纯度可达9“N” c) 三氯硅烷（TCS）?电子纯硅（EGS） 精馏后的三氯硅烷，被高纯度H2带入 “西门子反应器”(还原炉 )。 炉中先将细硅棒通电加热，控制温度在1050～1150℃ 西门子反应器 三氯硅烷法的优点：生产成本低、效率高 三氯硅烷法的缺点：三氯硅烷遇水形成具有腐蚀性的HCl气体，设备中重金属Fe、Ni等被腐蚀，从而污染三氯硅烷 。 硅烷法提纯 硅烷发生器：将Mg2Si与NH4Cl混合 纯化系统：低温精馏＋吸附提纯 分解炉：与三氯硅烷法的还原炉基本相同 合成炉 硅烷发生器 纯化系统 分解炉 冶金硅粉 Mg屑 NH4Cl Mg2Si NH3 SiH4 纯SiH4 多晶硅 d) 电子纯硅?单晶硅锭 1、直拉法CZ(Czochralski ) 2、区熔法 (FZ) 1、CZ(Czochralski )直拉法拉单晶 拉晶过程 直径约1～2mm 长约15～20mm 剩余熔硅20％左右时 换料中，不断通入保护气体 将晶体直径长大到所要求的尺寸 待润和良好后，再开始提拉 影响拉晶质量主要参数：拉伸速率、旋转速率、温度 升高温度或提高拉速，直径变小 降低温度或拉速，直径变大 生长棱 影响拉晶质量的因素 掺杂 将杂质直接加到硅粉中，形成熔体 极轻(cm-3) 轻 中 重 1014 1014~1016 1016~1019 1019 n-，p- n-，p- n，p n+，p+ CZ:杂质主要由石英坩锅分解而产生的氧——有益但必须加以控制的杂质 益：少量的氧可以作为吸附中心 弊：加热，氧将深入硅片内部 杂质控制 1952年，Pfann（蒲凡） 将材料局部熔化，形成一个狭窄的熔区，然后令熔区沿着材料缓慢移动，利用分凝现象来分离杂质，生长单晶体。 熔炉通入惰性气体，防止硅氧化 2、区熔法 原理 分凝现象：由两种或两种以上元素构成的固溶体，熔化后再结晶时，含量少的溶质（杂质）在晶体和熔体中的浓度是不同的，这种现象叫做分凝现象（偏析现象）。 分凝系数：以无限缓慢的速度从熔体中分凝出固体，即固相与液相接近平衡状态时，固相中杂质的浓度为Cs，液相中为CL，则其比值称为杂质对某一半导体材料的分凝系数k0。 k0＝Cs/CL 悬浮区熔法单晶生长过程 a、将硅棒熔成半球 b、下压硅棒，熔接籽晶 c、缩颈，籽晶同步下行，轻拉硅棒使熔区呈漏斗状 d、放肩，籽晶下行、硅棒上拉速度减慢，造成饱满而不崩塌的熔区 e、收肩 f、等径生长 g、收尾，轻拉硅棒，使熔区逐步拉断 h、拉制成型的单晶硅锭 直拉法和区熔法的比较 直拉法： 便宜； 大的硅片尺寸（直径300mm）； 材料可回收利用。 区熔法： 更纯的单晶硅（无坩埚）； 更贵，硅片尺寸小（150mm）； 主要用于功率器件。 e) 单晶硅锭?硅片 1、基本流程 整型处理：去掉两端、径向研磨、定位边 切片： 直径300mm硅片，厚度是750?25（微米） 磨片倒角： 刻蚀： 硅片表面20微米左右，消除表面损伤和沾污 抛光： 包装： 有窄槽的塑料片架 或碳氟化合物树脂材料（特氟纶）作为包装盒的材料 包装盒中还要充满N2气。 质量参数： 物理尺寸：直径、厚度、晶向位置、定位边、形变等； 颗粒：典型的硅片洁净标准是，200mm的硅片表面每平方 厘米少于0.13颗粒，颗粒尺寸要小于或等于0.08微米。 平整度、微粗糙度、氧含量、晶体缺陷、体电阻率。 作业 单晶Si片的制备工艺流程 两种拉单晶的方法（CZ、FZ）及其特点 单晶硅中硅的原子密度 在硅半导体中形成替位式杂质的条件 ，可能的掺杂元素主要 哪些？ * 3 降低价格 1946到1996年，半导体微芯片的价格下降了一亿倍。 集成电路的基本工艺流程 第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点 单晶结构---晶体由单一的晶格连续组成 多晶结构---晶体由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而