模拟电子技术课件（邱健）第五章 场效应管放大电路2.pptxVIP

5 场效应管放大电路5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管5.2 MOSFET放大电路5.3 结型场效应管（JFET）*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较N沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道N沟道JFETN沟道结型FET场效应管MOSFET(IGFET)绝缘栅型场效应管的分类：P沟道耗尽型P沟道（耗尽型）P沟道NMOS 增强型NMOS 耗尽型N沟道JFETPMOS 增强型PMOS 耗尽型P沟道JFET5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管5.1.1 N沟道增强型MOSFET5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET5.1.3 P沟道MOSFET5.1.4 沟道长度调制效应5.1.5 MOSFET的主要参数5.1.1 N沟道增强型MOSFETL ：沟道长度W ：沟道宽度tox ：绝缘层厚度1. 结构（N沟道）通常 W L 符号5.1.1 N沟道增强型MOSFET1. 结构（N沟道）剖面图5.1.1 N沟道增强型MOSFET1. 结构（N沟道）5.1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（1）vGS对沟道的控制作用5.1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。当0vGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。当vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚VT 称为开启电压5.1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为N沟道增强型MOSFET开启电压5.1.1 N沟道增强型MOSFET2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用当vGS一定（vGS VT ）时，?沟道电位梯度?vDS??ID??靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄整个沟道呈楔形分布A2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用当vGS一定（vGS VT ）时，?沟道电位梯度?vDS??ID? 当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VTN2. 工作原理（2）vDS对沟道的控制作用?夹断区延长预夹断后，vDS??沟道电阻??ID基本不变2. 工作原理（3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程① 截止区当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）由于vDS较小，可近似为rdso是一个受vGS控制的可变电阻 本征电导因子3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程② 可变电阻区 其中?n ：反型层中电子迁移率Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容Kn为电导常数，单位：mA/V2是vGS＝2VT时的iD 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程③ 饱和区（恒流区又称放大区）vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT）V-I 特性：（N沟道增强型）3. V-I 特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET1. 结构和工作原理（N沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流是vGS＝0时的iD 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道耗尽型）VP为耗尽型MOS管的夹断电压，且为负值。 5.1.3 P沟道MOSFET# 衬底是什么类型的半导体材料？# 哪个符号是增强型的？# 在增强型的P沟道MOSFET 中，vGS应加什么极性的电压才能工作在饱和区（线性放大区）？5.1.3 P沟道MOSFET电流均以流入漏极的方向为正！# 是增强型还是耗尽型特性曲线？# 耗尽型特性曲线是怎样的？vGS加什么极性的电压能使管子工作在饱和区（线性放大区）？5.1.4 沟道长度调制效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的?沟道长度调制参数修正后L的单位为?mVA称为厄雷（Early）电压当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 5.1.5 MOSFE