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单晶硅生长技术的研究与发展 摘要：综述了单晶硅生长技术的研究现状。对改良热场技术、磁场直拉技术、真空高阻技术以及氧浓度的控制等技术进行了论述。 关键词：单晶硅；真空高阻；磁场；氧含量；氮掺杂 一、前言 影响国家未来在高新技术和能源领域实力的战略资源。作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的，因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成抛光片，方可制造IC器件，超过98％的电子元件都足使用硅单晶”引。生产单晶硅的原料主要包括：半导体单晶硅碎片，半导体单晶硅切割剩余的头尾料、边皮料等。目前，单晶硅的生长技术主要有直拉法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)。在单晶硅的制备过程中还可根据需要进行掺杂，以控制材料的电阻率，掺杂元素一般为Ⅲ或V主族元素.生长制备后的单晶硅棒还需经过切片、打磨、腐蚀、抛光等工序深加工后方可制成用作半导体材料的单晶硅片。随着单晶硅生长及加工处理技术的进步，单晶硅正朝着大直径化(300ram以上)、低的杂质及缺陷含晕、更均匀的分布以及生产成本低、效率高的方向发展。 二、单晶硅的生长原理 在单晶硅生长过程中，随着熔场温度的下降，将发生由液态转变到固态的相变化。对于发生在等温、等压条件下的相变化，不同相之间的相对稳定性可由吉布斯自由能判定。AG可以视为结晶驱动力。 △G=△H—TAS (1) 在平衡的熔化温度瓦时，固液两相的自由能是相等的，即AG=0，因此 △G=AH一瓦X AS---O (2) 所以，AS=AH／T= (3) 其中，AH即为结晶潜热。将式(3)代入式(1)可得 (4) 由式(4)可以看出，由于AS是一个负值常数，所以△兀即过冷度)可被视为结晶的唯一驱动力。 以典型的CZ长晶法为例，加热器的作用在于提供系统热量，以使熔硅维持在高于熔点的温度。如果在液面浸入一品种，在品种与熔硅达到热平衡时，液面会靠着表面张力的支撑吸附在晶种下方。若此时将晶种往上提升，这些被吸附的液体也会跟着晶种往上运动，而形成过冷状态。这节过冷的液体由于过冷度产生的驱动力而结晶，并随着晶种方向长成单晶棒。在凝固结晶过程中，所释放出的潜热是一个间接的热量来源，潜热将借着传导作用而沿着晶棒传输。同时，晶棒表面也会借着热辐射与热对流将热量散失到外围，另外熔场表面也会将热量散 失掉。于是，在一个固定的条件下，进入系统的热能将等于系统输出的热能陟。 三、硅单晶生长方法 1直拉(CZ)法 直拉法的生产过程简单来说就是利用旋转的籽晶从熔硅中提拉制备单晶硅。此法产量大、成本低，国内外大多数太阳能单晶硅片厂家多采用这种技术。目前，直拉法生产工艺的研究热点主要有：先进的热场构造、磁场直拉法以及对单晶硅中氧浓度的控制等方面。 (1)先进的热场构造 在现代下游IC产业对硅片品质依赖度日益增加的情况下，热场的设计要求越来越高。好的热场必须能够使炉内的温度分布达到最佳化，因此一些特殊的热场元件正逐渐被使用在先进的CZ长晶炉内。 任丙彦等对φ200mm太阳能用直拉单晶的生长速率进行了研究。通过采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统(图1)进行不同热系统下的拉晶试验，结果发现平均拉速可从0．6mm／min提高到0．9mIn／min，提升了50％。用有限元法对氩气流场和单晶炉热场进行模拟试验，结果表明：改造后的氩气流场被明显优化，界面附近的晶体纵向温度梯度增加，熔体纵向温度梯度减小。研究发现，直拉炉中增加热屏后平均拉速明显提高的原因 主要有两个：一方面热屏阻止加热器的热量向晶体辐射，减弱了固液界面热辐射力度；另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流动的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱，不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶液界面吹拂能力加强。直拉炉加装导流筒后，炉膛被分成了上下两个空间，氩气流局限在复合式导流系统中，然后仅从内层保温罩一加热器、 加热器一石墨坩埚这两个缝隙中通过，流速进一步增加，并在流动过程中不断从炉内带走结晶潜热。通过对模拟结果的后处理，得到两种热系统下界面10cm附近晶体和熔体的8个温度值，经分析得出：与敞开系统相比，密闭系统界面附近晶体轴向温度梯度增大约10℃，而熔体中轴向温度梯度降低约5℃。在CZ长晶过程中，当熔体中的温度梯度越小而晶体温度梯度越大时，生长速率越高，如图2、图3所示。 在向大直径发展，投料量急剧增加。由于大熔体严重的热对流不但影响晶体质量，甚至会破坏单晶生长。目前，抑制热对流最常用的方法是在长晶系统内加装磁场。在磁场下生长单晶，当引入磁感应强度达到一定值时，一切宏观对流均受到洛仑兹力的作用而被抑制。引入磁场的磁力线分布有纵向、横向和Cusp三种，从抑制硅单晶