多晶硅和高纯硅.docVIP

多晶硅及高纯硅 REC 申请号=CN200520114868.0 名称=一种采用成熟工艺制作的新型硅微电容传声器芯片 申请（专利权）人=中国科学院声学研究所 发明（设计）人=乔东海;胡维;田静;徐联;汪承灏 申请日=2005.07.26 地址=100080北京市海淀区北四环西路21号 摘要=本实用新型公开了一种采用成熟工艺制作的新 型硅微电容传声器芯片。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振 动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板， 该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻 蚀一连续的掺杂层形成。该硅微电容传声器芯片的制备方法包 括：在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，该掺杂层形 成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺 杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本 实用新型采用多晶硅作为振动膜，制作工艺与平面半导体工艺 完全兼容；还克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔 所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便 易行的工艺。 REC 申请号=CN200510062883.X 名称=降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法 申请（专利权）人=联华电子股份有限公司 发明（设计）人=王俞仁;颜英伟;郑力源;詹书俨;黄国泰 申请日=2005.04.05 地址=台湾省新竹科学工业园区 摘要=一种制作多晶硅栅极晶体管的