第章集成电路工艺原理.ppt

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2003.8 第四章 扩散 (Diffusion) 二 扩散法优点 四 硅体内杂质原子的扩散机构 §4.3 扩散方程及其解 分布曲线的特点 可见： 1，C2与C1成正比，与D2、t2的平方根成反比； D2愈大（即T愈高）、t2愈长，C2则愈低。 产生原因： 由于P的扩散使得大量间隙迁移到发射区下方基区，加快了硼的扩散，即原子半径差异较大的高浓度杂质进入造成晶格畸变，产生失配位错，使基区沿位错处扩散增强－基区下陷; §4.5 扩散工艺参量与扩散工艺条件的选择 三，表面杂质浓度NS 在结深相同的情况下，预淀积的杂质总量越大， 再分布后的表面浓度NS2就越大； 再分布过程中，扩散与氧化同时进行，有一部分杂质Q2要积聚到所生长的SiO2层中；则，表面浓度可由预淀积杂质总量Q和积聚到氧化层中的杂质总量Q2来控制； 如生产时发现基区硼扩散预淀积杂质总量过大（即RS1太小），则可以缩短开始通干氧的时间，使更多的杂质积聚到SiO2层中，以使再分布后的基区表面浓度NS2符合设计要求； 四 扩散温度与扩散时间的选择 （3）NS1可间接确定，原则：NS1NS2；由NS1确定 T。 一般认为NS1是相应扩散温度下的固溶度，由杂质固 溶度曲线选定要达到NS1的扩散温度； （4）由选定的T，查出相应的D1； (二