磁控溅射镀膜的技术.pptxVIP

磁控溅射镀膜技术目录 | CONTENT1概述2溅射镀膜的基本原理3磁控溅射一、概述1.定义 溅射镀膜是利用气体放电产生的正离子在电场作用下高速轰击阴极靶，使靶材中的原子（或分子）逸出而淀积到被镀衬底（或工件）的表面，形成所需要的薄膜。 2.特点（与真空蒸发镀膜相比） （1）可以溅射任何物质； （2）溅射薄膜与衬底的附着性好； （3）溅射镀膜的密度高、针孔少，膜层纯度高； （4）膜层厚度可控性和重复性好。 溅射镀膜的缺点：溅射设备复杂，需要高压装置；溅射沉积的成膜速度低；基片温度较高；易受杂质气体影响等。二、溅射镀膜的基本原理 溅射镀膜基于高能离子轰击靶材时的溅射效应，整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础上，即溅射离子都来源于气体放电。放电方式： （1）直流溅射——直流辉光放电 （2）射频溅射——射频辉光放电 （3）磁控溅射——环状磁场控制下的辉光放电二、溅射镀膜的基本原理（一）直流辉光放电： 直流辉光放电是在真空度约1～10Pa的稀薄气体中，两个电极之间在一定电压下产生的一种气体放电现象。 气体放电时，两电极之间的电压和电流的关系复杂，不能用欧姆定律描述。二、溅射镀膜的基本原理?（一）直流辉光放电：1.无放电区 由于宇宙射线产生的游离离子和电子在直流电压作用下运动形成电流，10-16-10-14A。由于此区域导电但不发光，因此称为无光放电区。自然游离的离子和电子是有限的，所以随电压增加，电流变化很小。2.汤森放电区 随电压升高，电子运动速度逐渐加快，由于碰撞使气体分子开始产生电离，电离为正离子和电子，再被电场加速，再电离，使电流平稳地增加，于是在伏-安特性曲线出现汤森放电区。 上述两种情况都以自然电离源为前提，且导电而不发光。因此，称为非自持放电。二、溅射镀膜的基本原理?（一）直流辉光放电：3.过渡区 过C点后，发生“雪崩点火”，离子轰击阴极，产生二次电子，二次电子与中性气体分子发生碰撞，产生更多的离子，离子再轰击阴极，阴极产生更多的二次电子，大量的离子和电子产生后，放电达到自持，气体被击穿，开始起辉。两极间电流剧增，电压迅速降低，放电呈现负阻现象。二、溅射镀膜的基本原理?（一）直流辉光放电：3.过渡区-起辉电压（D）若气体P太低或电极间距d 太小，二次电子在到达阳极前不能使气体分子被碰撞电离，无法形成一定数量的离子和二次电子，会使辉光放电熄灭。若气体P太高或电极间距d太大，二次电子因多次碰撞而得不到加速，也会使辉光放电熄灭。 由巴邢定律知，在气体成分和电极材料一定的情况下，起辉电压V只与气体压强P和电极距离d的乘积有关。二、溅射镀膜的基本原理?（一）直流辉光放电：4.正常辉光放电区（1）气体被击穿，自持放电；（2）电流密度恒定（有效放电面积随电流增加而增大），与电压无关；（3）电流密度不高（溅射选择异常辉光放电区）二、溅射镀膜的基本原理?（一）直流辉光放电：5.异常辉光放电区 当轰击覆盖住整个阴极表面之后，进一步增加功率，电流增加，形成均匀而稳定的“异常辉光放电”，这个放电区就是溅射区域。（1）溅射电压： 式中，和是取决于电极材料、尺寸和气体种类的常数，是电流密度，是气体压强。（2）阴极表面情况： 此时辉光布满整个阴极，离子层已无法向四周扩散，正离子层向阴极靠拢，距离缩短。此时若想提高电流密度，必须增加阴极压降，结果更多的正离子轰击阴极，更多的二次电子从阴极产生。二、溅射镀膜的基本原理?（一）直流辉光放电：6.弧光放电区 异常辉光放电时，常有可能转变为弧光放电的危险。 （1）极间电压陡降，电流突然增大，相当于极间短路； （2）放电集中在阴极局部，常使阴极烧毁； （3）损害电源。常压气体高温下放电二、溅射镀膜的基本原理（一）直流辉光放电：7.辉光的产生 众多的电子、原子碰撞导致原子中的轨道电子受激跃迁到高能态，而后又衰变到基态并发射光子，大量的光子形成辉光。 对于一对平行平板放电电极，当电源功率增加，形成辉光放电时，阴阳两极间明暗光区的分布情况，以及暗区和亮区对应的电位、场强、空间电荷和光强分布，如下图所示。二、溅射镀膜的基本原理（一）直流辉光放电：（1）阿斯顿暗区： 冷阴极发射的电子能量很低，约1eV左右，很难与气体发生碰撞电离，所以在阴极附近形成一个黑暗的区域，称为阿斯顿暗区。 使用氩、氖之类气体时这个暗区很明显。对于其它气体，这个暗区很窄，难以观察到。二、溅射镀膜的基本原理（一）直流辉光放电：（2）阴极辉光区： 电子通过阿斯顿暗区后，在电场的作用下获得了足够的能量，与气体发生碰撞，使气体分子被激发，而后又衰变到基态并放出辉光，形成阴极辉光区。（3）克鲁克斯暗区： 随电子加速获足够能量，穿过阴极辉光区时与正离子不易发生复合，从而形成又一个暗区，叫做克鲁克斯暗区。 暗区的宽度与电子的平均自由程有关。二、溅射