微电子工艺绪论.pptVIP

微 电 子 工 艺;绪论;1 引言;什么是微电子工艺;微电子生产过程图;npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程;2 微电子工艺发展状况;1958年在美国的德州仪器公司和仙童公司各自研制出了集成电路，采用的工艺方法是硅平面工艺。;60年代的出现了外延技术，如：n-Si/n+-Si，n-Si/p-Si。一般双极电路或晶体管制作在外延层上。 70年代的离子注入技术，实现了浅结掺杂。IC的集成度提高得以实现。 新工艺，新技术，不断出现。（等离子技术的应用，电子束光刻，分子束外延，等等）;DROM集成度与工艺的进展;电子产品发展趋势：更小，更快，更冷 现有的工艺将更成熟、完善；新技术不断出现。当前，光刻工艺线宽已达0.13微米。在实验室已出现0.1微米工艺。由于量子尺寸效应，集成电路线宽的物理极限约为0.035微米，即35纳米。另外，硅片平整度也是影响工艺特征尺寸进一步小型化的重要因素。微电子业的发展面临转折。上世纪九十年代纳电子技术出现，并越来越受到关注。 ;微/纳电子技术;3 微电子工艺特点及用途;用途;4 本课程内容;本课程讲述的主要内容;教材与参考书