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MRsensor评估report
MR sensor 与磁铁搭配示意图 单体实验 1：在目前构想设计是MR sensor 是放在Touch的MB上的，大体的摆放位置如下图，magnet 的摆放位置在机壳后盖内侧，如图 2：当盖子盖上的时候magnet在MR sensor 的垂直正上方，按照幻灯片1的摆放方式，这时候侦测盖子是否打开是最有效的方式， 当盖子盖上的时候MR sensor IC 的output pin 输出L 当盖子打开时候MRsensor IC 的output pin 输出H 不过有一点是当magnet的下表面到IC的上表面的垂直距离h≥8.0mm 时候 output pin 输出H，所以touch 机台的MR sensor 与magnet在盖上盖子的时候的距离h应该要小于8.0mm 3：当磁铁在MR sensor 的正上方靠左或是靠右的时候，他们之间的垂直距离在大约5.0mm，水平距离大约是1.2cm时候，MR sensor 的output pin就输出H。 4：按照MR sensor 给出的design report 的建议，当我们机台的盖子盖好后magnet与IC的正上方垂直距离是5.2mm﹤8.0mm 的，所以可以建议ME采用这样的设计距离，或者是比5.2mm在小一些，盖子盖好后不要大于8.0mm,当然magnet在IC 的垂直正上方是最有效的。 5：目前把磁铁粘在DVT1机台的后盖上去验证磁铁是否会对compass有影响，经过验证对compass几乎没有影响。 * 3.0mm 2..5mm 4.0mm N S 磁铁 MR SENSOR 磁铁与IC之间的距离h Input pin Output pin GND pin 磁感线 3.0mm 2..5mm 4.0mm N S 磁铁 磁铁与IC之间的垂直距离h Input pin Output pin GND pin 水平距离L *
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