奈米中心高温炉管操作手册-交通大学奈米中心.PDFVIP

奈米中心高溫爐管操作手冊 99 年 11月修訂 Wet O2 1. 在 standby 狀態下，已設定 N ON ，壓力10 psi ，流量10 % ，亦即1000 sccm ， 2 爐溫 300℃。 2. 以 100℃為一 step ，升溫至所需成長之溫度，N2 流量改為 5000 sccm待溫度 穩定後將 wafer 推入爐心。（或在 standby 狀態下，將 wafer 推入爐心，再 升溫至所需之成長溫度，約一小時）。 3. O ON ，先開閥門，再慢慢轉壓力閥至設定壓力10 psi ，流量30 % ，亦即3000 2 sccm ，一分鐘後，N OFF ，先關壓力閥，再關閥門。 2 4. 通 O 五分鐘後，H ON ，在通H 前，先檢查爐溫是否高於 800℃ ，且氫氣 2 2 2 燃燒點是否高於 676℃ ，先開H 氣動閥、手動閥，再緩慢轉動壓力閥，勿 2 使壓力流量超過設定值 。設定壓力10 psi ，流量96 % ，亦即4800 sccm ，此 時即開始氧化，時間依所需厚度而定。 5. 時間到時， H OFF ，先關壓力閥，再關氣動閥、手動閥，5 分鐘後，N ON ， 2 2 O OFF ，降溫，拉出wafer 。 2 6. 若繼續使用則回到步驟 2 ，否則保持standby 狀態。 ※ 氣體的轉換記住一個重點爐管內隨時保持氣體在流動，即正壓，以免外面氣 體進入而污染。 ※ 壓力閥與氣動閥先後的順序，在開時避免因壓力太大而使流量超過設定值太 多，所以先開氣動閥，再開壓力閥，在關時為避免氣體殘留在管路中所以先 關壓力閥，再關氣動閥。 Dry O2 1. 在 standby 狀態下，已設定 N ON ，壓力10 psi ，流量10 % ，亦即1000 sccm ， 2 爐溫 300℃。 1 2. 以 100℃為一 step ，升溫至所需成長之溫度，N2 流量改為 5000 sccm待溫度 穩定後將 wafer 推入爐心。（或在 standby 狀態下，將 wafer 推入爐心，再 升溫至所需之成長溫度，約一小時）。 3. O ON ，設定壓力10 psi ，流量75 % ，亦即3750 sccm ，一分鐘後N OFF ， 2 2 先關壓力閥，再關閥門，此時即開始氧化。 4. 時間到時， N ON ，一分鐘後，O OFF ，降溫，拉出wafer 。 2 2 5. 若繼續使用則回到步驟 2 ，否則保持standby 狀態。 Phosphorous predeposition 1. 在 standby 狀態下，已設定 N ON ，流量10% ，亦即1000 sccm (Max 10000 2 sccm) ，爐溫300℃。欲使用爐管時，先將N2 流量 1 slm調至 4 slm 。 2. 打開 POCl3 source的溫控器開關，設定 26℃已設好( ) 。 3. 以 100℃為一 step ，升溫至所需成長之溫度，待溫度穩定後將wafer 推入爐 心。（或在 standby 狀態下，將 wafer 推入爐心，再升溫至所需之成長溫度， 約一小時）。 4. O ON ，流量24 % ，亦