控制式阵列单晶ZnO奈米柱之成长与太阳能电池之应用.PDFVIP

行 列 奈 列 奈 精 類 行 年年 行 料 參理 理 理 理 理 論 理 利 年 年 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 █ 成 果 報 告 □期中進度報告 計畫名稱 控制式陣列單晶 ZnO 奈米柱之成長與太陽能電池之應用 計畫類別：▇ 個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號： NSC 96 －2221 － E － 035 －058 － 執行期間： 96 年 8 月 1 日至 97 年 7 月 31 日 計畫主持人：吳志明 共同主持人： 計畫參與人員：方瓊菀、郭証翔、徐國凱、黃小榕、陳政緯 成果報告類型依經費核定清單規定繳交( ) ：█精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年█二年後可公開查詢 執行單位：逢甲大學材料科學與工程學系 中 華 民 國 97 年 9 月 10 日 1 附件二 可供推廣之研發成果資料表 █可申請專利 □可技術移轉 日期： 96 年 8月 20日 計畫名稱：控制式陣列單晶 ZnO 奈米柱之成長與太陽能電池之應 用 國科會補助計畫 計畫主持人：吳志明 計畫編號： 962221E035058 學門領域：工程學門 技術創作名稱/ 控制式陣列單晶 ZnO 奈米柱之成長 發明人 創作人/ 吳志明 中文： 優選方向製程為奈米晶體關鍵技術之ㄧ，本研究採用熱蒸鍍法 來合成氧化鋅(zinc oxide, ZnO)奈米柱，研製優選方位ZnO[0001]單 晶奈米柱。我們設計 ZnO晶種層，利用晶種層所提供之高表面自由 能，輔助 ZnO奈米柱成長以達成近似垂直優選ZnO[0001]單晶奈米 柱。本研究成長機制為氣相固相，透過過飽合機制析出- ZnO奈米 柱，並以參數同時控制晶種層與奈米柱皆具ZnO[001]優選六方纖鋅 技術說明 (wurzite)結構。 為了驗證ZnO為單晶奈米柱，我