模拟IC实验报告MOS管基本特性测试等.docVIP

实验一 MOS管基本特性测试 1.电路原理图： 2.测试mos管的输出特性： 测量的是一个noms的输出特性，noms的参数为w=1.5um,L=600nm. 横坐标为Vdd从0—12V，纵坐标为漏极电流ID; 3.mos管的转移特性曲线： 横坐标表示输入电压Vgs从0-5V变化， 纵坐标表示的是漏极电流ID 从转移特性曲线图可知，mos管的导通电压Vth=0.853V 4.改变Vdd,做出一组转移特性曲线： 横坐标表示输入电压Vgs从0-5V变化， 纵坐标表示的是漏极电流ID 由上至下分别表是Vdd1=12V，Vdd2=9.6V, Vdd3=7.2V, Vdd4=4.8V，Vdd5=2.4V时mos管的转移特性。 5.改变mos管的w/L，观察输出特性的变化 解答： 比较不同w,L的输出特性曲线组图，可以看出宽长比W/L 越大，输出的漏极电流也就越大。即当其他条件相同时，漏极电流与mos管的宽长比成正比。 6.修改mos管的w/L，观察转移特性的变化： 由不同W/L下的转移特性图可知，当Vgs=6V时，W/L越大，漏极电流ID也就越大，而gm=ID/Vgs 所以gm也就越大. 实验三 mos管共源放大电路的分析 1.电路原理图： 2.共源电路的电压传输曲线： 3.在电压传输特性中选择一个适当的输出电压值作为工作点电压，并测量对应的偏置电压。 由测得的共源电路电压传输曲线，选取