[工学]09级技能大赛试题.doc

一、填空题 A类 半导体是一种导电能力介于 导体 与 半导体 之间的物质。 半导体按导电类型分为 p 型半导体与_n____型半导体。 N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠（空穴） 来导电。 PN结具有 单向导电性 性能，即加正向电压时，PN结 截止 ;加反向电压时，PN结 导通 ， 晶体二极管主要参数是 最大整流电流 与 最高反向电压 。 晶体二极管按所用的材料可分为 硅管 和 锗管 两类；按PN结的结构特点分为点接触型二极管 和 面接触二极管 两种。 7．PN结的正向接法是P型区接电源的 正 极，N型区接电源的 负 极。 8．晶体二极管的伏安特性可简单理解为 正向 导通， 反向 截止的物特性。导通后，硅管的管压降约为 0.7 ，锗管约为 0.2 9．P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。 10．N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 11．晶体三极管的三个电极分别称为 发射 极、 集 极和 集电 极，它们分别用字母 e 、 b 和 c 来表示。 12．为了使晶体三极管在放大器中正常工用，发射结须加 正 电压，集电结须加 负 电压。 13．由晶体三极管的输出特性可知，它有 饱和区 ， 截止区 和 放大区 三个区域。 14．晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 发射结 ，另一个叫做 集电结 ， 15．晶体三极管有 pnp 型和 npn 两种，硅管以 npn 型居多，锗管以 pnp 型居多。 16．晶体三极管具有电流放大作用的条件是：第一，使 发射 区的多数载流子浓度高， 发射 区的面积大， 集区 区尽可能地薄；第二、使 发射 结正向偏置， 基电 结反向偏置。 17．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib 和集电极电流Ie 之间的关系是 。其中Ie/ Ib叫做 ，用字母 表示；△Ie/ △Ib叫做 ，用字母 表示。 18．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 电流来控制 电流的，其实质是以 电流控制 电流。 19．硅晶体三极管的饱和电压降为 ，锗晶体三极管的饱和电压降为 。 20．硅晶体三极管发射结的导通电压约为 ，锗晶体三极管发射的导通电压约为 。 21．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是 偏置，集电结必须是 或 偏置。 22．当晶体三极管处于饱和状态时，安的发射结必定加 电压，集电结必定加 或 电压。 23．当晶体三极管的Uce 一定时，基极与发射极间的电压Ube 与基极电流Ib 之间的关系曲线称为 基极电流Ib 一定时，集电极与发射极间的电压Uce 与集电极电流Ie的关系曲线称为 。 24．晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ；而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 。 25．晶体三极管的穿透电流Iceo 随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅三极管的 比锗三极管好。 B类 1．在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为 时，就认为此二极管为硅二极管。 2．PN结中的内电场阻止多数载流子的 运动，促进少数载流子的 运动。 3．NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。 4．有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。若晶体三极管的直流电放大系数β=50，要使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 。 5．2AP系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 ，2CP、2CZ系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。 6．点接触型晶体二极管因其结电容 ，可用于 和 的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 的场合。 7．按用途可的把晶体二极管分为 、 、 、 、 等。 8．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是 和