气相沉积技术知识.ppt

第九章 气相沉积 9.1概述 气相沉积技术也是一种在基体上形成一层功能膜的技术，它是利用气相之间的反应，在各种材料或制品表面沉积单层或多层薄膜，从而使材料或制品获得所需的各种优异性能。 该技术在1970年前也称作干镀。1980年前后被广泛用于电子和装饰方面的无公害加工以及刀具的硬面涂层，近20年来，随着电子器件的小型化、高可靠性、超高集成度以及各类尖端科学技术的发展，使得气相沉积技术得到了迅速发展和广泛应用。 1.物理气相沉积:在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离子化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。 物理气相沉积法主要包括真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀膜等。 PVD法已广泛用于机械、航空、电子、轻工和光学等工业部门中制备耐磨、耐蚀、耐热、导电、磁性、光学、装饰、润滑、压电和超导等各种镀层。随着PVD设备的不断完善、大型化和连续化，它的应用范围和可镀工件尺寸不断扩大，已成为国内外近20年来争相发展和采用的先进技术之一。 2.化学气相沉积:把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的方法。 化学气相沉积法主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点得等离子化学气相沉积等。 目前，CVD法在电子、宇航、光学、能源等工业中广泛用于制备化合物单晶，同质和异质外延单晶层，制备耐磨、耐热、耐蚀和抗辐射的多晶保护层。此外，CVD是大规模集成电路制作的核心工艺，已广泛用于制备半导体外延层、PN结、扩散源、介质隔离、扩散掩蔽膜等。 9.2 蒸发镀 蒸发镀是PVD方法中最早用于工业生产的一种方法，该方法工艺成熟，设备较完善，低熔点金属蒸发效果高，可用于制备介质膜、电阻、电容等，也可以在塑料薄膜和纸张上连续蒸镀铝膜。但因膜层结合力差，曾一度发展缓慢。电真空技术的发展和光固化涂料的诞生，是蒸发镀再度复兴，并广泛应用。 定义：在真空条件下，用加热蒸发的方法使镀料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法称为蒸发镀膜，简称蒸镀。 9.2.1蒸镀原理 ①采用单蒸发源时，使加热器间断的供给少量热量，产生瞬间蒸发； ②采用多蒸发源，使各种金属分别蒸发，气相混合，同时沉积。利用该法还可以得到用冶炼方法所得不到的合金材料薄膜。 真空蒸镀时，蒸发粒子动能为0.1～1.0EV,膜对基体的附着力较弱，为了改进结合力，一般采用:①在基板背面设置一个加热器，加热基极，使基板保持适当的温度，这既净化了基板，又使膜和基体之间形成一薄的扩散层,增大了附着力；②对于蒸镀像AU这样附着力弱的金属，可以先蒸镀像CR，AL等结合力高的薄膜作底层。 9.2.2蒸镀方法 蒸发源：加热待蒸发材料并使之挥发的器具称为蒸发源，也称加热器。 蒸镀方法主要有下列几种： 1.电阻加热法：让大电流通过蒸发源，加热待镀材料，使其蒸发的简单易行的方法。 对蒸发源材料的基本要求是：高熔点，低蒸气压，在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或互溶，具有一定的机械强度，且高温冷却后脆性小等性质。常用钨、钼、钽等高熔点金属材料。按照蒸发材料的不同，可制成丝状、带状和板状等。 2.电子束加热：即用高能电子束直接轰击蒸发物质的表面，使其蒸发。 由于是直接在蒸发物质中加热，避免了蒸发物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发，故可制备高纯度的膜层。一般用于电子原件和半导体用的铝和铝合金，此外，用电子束加热也可以使高熔点金属（如W，MO，TA等）熔化、蒸发。 3.高频感应加热：在高频感应线圈中放入氧化铝和石墨坩埚，蒸镀的材料置于坩锅中，通过高频交流电使材料感应加热而蒸发。 此法主要用于铝的大量蒸发，得到的膜层纯净而且不受带电粒子的损害。 4.激光蒸镀法：采用激光照射在膜料表面，使其加热蒸发。 由于不同材料吸收激光的波段范围不同，因而需要选用相应的激光器。例如用二氧化碳连续激光加热SIO、ZNS、MGF2、TIO2、AL2O3、SI3N4等膜料；用红宝石脉冲激光加热GE、GAAS等膜料。 由于激光功率很高，所以可蒸发任何能吸收激光光能的高熔点材料，蒸发速率极高，制得的膜成分几乎与料成分一样。 9.2.3蒸发镀膜设备 用于进行真空蒸发镀膜的装置，一般由四部分组成: 1真空室：用于放置镀件，进行镀膜的场所； 2真空（排气）系统：一般由机械泵、扩散泵、管道、阀门等组成； 3蒸发系统：包括蒸发源，加热蒸发源的电气设备； 4电气设备：用于测量真空系统，膜厚测量系统，控制台等。 9.2.4蒸镀用途 蒸镀只用于镀制对结合强度要求不高的某些功能膜，例如用作电极的导电膜，光学镜头的增透膜等。 蒸镀用于镀制合金膜时，在保证合金成分这点上，要比溅射困难得多，但在镀制纯金属时，蒸镀可以表现出镀膜速度快的优势。 蒸镀纯金属膜中