半导体激光器的参数测量与调制特性.PDFVIP

半导体激光器的参数测量与调制特性 一、实验目的 1．通过测量半导体激光器工作时的功率、电压、电流，学生通过这些参数画出 P-V 、 P-I 、I-V 曲线，让学生了解半导体的工作特性曲线。 2 ．学会通过曲线计算半导体激光器的阈值，以及功率效率，外量子效应和外微分效应。 并对三者进行比较。 3 ．内置四套方波信号或者外加信号直接调制激光器，通过调整不同的静态工作点，和 输入信号强度大小不同，观察到截至区，线性区，限流区的信号不同响应（信号畸变，线性 无畸变），了解调制工作原理。 4 ．测量激光器的调制带宽和消光比。 二、实验原理 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产 生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓（GaAs ）、硫化镉（CdS ）、磷化铟(InP)、 硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质 结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。 半导体激光器具有体积小、效率高等优点，广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处 理等方面。 1．半导体激光器的结构与工作原理 现以砷化镓（GaAs ）激光器为例，介绍注入式同质结激光器的工作原理。半导体的能带结 构。半导体材料多是晶体结构。当大量原子规则而紧密地结合成晶体时，晶体中那些价电子 都处在晶体能带上。价电子所处的能带称价带（对应较低能量）。与价带最近的高能带称导 带，能带之间的空域称为禁带。当加外电场时，价带中电子跃迁到导带中去，在导带中可以 自由运动而起导电作用。同时，价带中失掉一个电子，则相当于出现一个带正电的空穴，这 种空穴在外电场的作用下，也能起导电作用。因此，价带中空穴和导带中的电子都有导电作 用，统称为载流子。掺杂半导体与 p-n 结。没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。如果 在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主能 级和受主能级 有施主能级的半导体称为 n 型半导体；有受主能级的半导体称这 p 型半导体。在常温下， 热能使 n 型半导体的大部分施主原子被离化，其中电子被激发到导带上，成为自由电子。而 p 型半导体的大部分受主原子则俘获了价带中的电子，在价带中形成空穴。因此，n 型半导 体主要由导带中的电子导电；p 型半导体主要由价带中的空穴导电。 半导体激光器中所用半导体材料，掺杂浓度较大，n 型杂质原子数一般为 2～5×1018cm-1 ； p 型为 1～3×1019cm-1 。 在一块半导体材料中，从 p 型区到 n 型区突然变化的区域称为 p-n 结。其交界面处将形 成一空间电荷区。n 型半导体带中电子要向 p 区扩散，而p 型半导体价带中的空穴要向 n 区 扩散。这样一来，结构附近的 n 型区由于是施主而带正电，结区附近的 p 型区由于是受主而 带负电。在交界面处形成一个由 n 区指向p 区的电场，称为自建电场。此电场会阻止电子和 空穴的继续扩散（见图 1）。 p-n 结电注入激发机理。若在形成了 p-n 结的半导体材料上加上正向偏压，p 区接正极， n 区接负极。显然，正向电压的电场与p-n 结的自建电场方向相反，它削弱了自建电场对晶 图 1 自建电场的示意图 体中电子扩散运动的阻碍作用，使 n 区中的自由电子在正向电压的作用下，又源源不断地通 过 p-n 结向 p 区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在 注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。这就 是半导体场致发光的机理，这种自发复合的发光称为自发辐射。 要使 p-n 结产生激光，必须在结构内形成粒子反转分布状态，需使用重掺杂的半导体材 料，要求注入 p-n 结的电流足够大（如 30000A/cm2 ）。这样在p-n 结的局部区域内，就能形 成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态，从而产生受激复合辐射而发出激光。 2 ．半导体激光器结构。如图2 为结构图，其外形及大小与小功率半导体三极管差不多， 仅在外壳上多一个激光输出窗口。夹着结区的 p 区与n 区做成层状，结区厚为几十微米，面 2 积约小于 1mm 。 图2 半