[计算机硬件及网络]第03章 二极管.pptVIP

二、半导体材料 元素半导体：典型的半导体有硅Si和锗Ge等。 化合物半导体：砷化镓GaAs等。 掺杂半导体：硼(B)、磷(P) 了解几个名词： 共用电子与共价键 3、本征半导体的导电机理 注意：电子……带负电；空穴……带正电。 　　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。 IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 3、PN 结的电流方程 PN结所加端电压u与流过的电流i的关系为 公式推导过程略 第三章 半导体二极管及其基本电路 4、PN结的伏安特性 　　i = f (u )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 i/ mA u / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 图 2.6　PN结的伏安特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 第三章 半导体二极管及其基本电路 5、PN结的电容效应 　　当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 (1) 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间