[工学]数字电路与逻辑分析第七章.pptVIP

7.2 随机存取存储器（RAM） 四、 模式寄存器 在SDRAM芯片中，有一个模式寄存器，该寄存器用于定义SDRAM工作的特定模式。 可定义的参数包括：突发长度BL（Burst Length）选择，突发类型，CAS延时CL(CAS latency)，工作模式和写突发模式等。通过LOAD MODE REGISTER命令可以对模式寄存器进行编程。 7.2 随机存取存储器（RAM） 模式寄存器各位的含义 7.2 随机存取存储器（RAM） 突发长度(Burst Length)： 对SDRAM的读写访问是面向突发的，突发长度BL是可编程的。突发长度定义了一个READ或者WRITE命令访问SDRAM时候定义的最大的列单元数目。 当发出READ或者WRITE命令时，可以选择BL长度定义的若干列组成的块。当到达这个块的边界时，自动回到这列所设定的位置。在不同的模式和配置方式下，由不同的地址线选择确定块地址，最低地址位用于选择块内的起始地址，全页突发模式下，如果达到一页的边界时，将回到页的起始地址。 7.2 随机存取存储器（RAM） 在不同的模式和配置方式下，列的起始位置 A3-A9 X16 A3-A9,A11 X8 A3-A9,A11,A12 X4 8 A2-A9 X16 A2-A9,A11 X8 A2-A9,A11,A12 X4 4 A1-A9 X16 A1-A9,A11 X8 A1-A9,A11,A12 X4 2 地址 配置方式 突发长度 7.2 随机存取存储器（RAM） 突发方式(Burst Type)： 一次给定的突发访问可以按照交织或者顺序的方式进行，由模式寄存器的第三位决定。一次突发的访问次序由突发长度决定，突发的类型和开始列地址由下表决定。 突发长度、起始地址和类型设置 7.2 随机存取存储器（RAM） CAS 延时(CAS Latency) CAS延时与READ命令之间的时序关系 7.2 随机存取存储器（RAM） 工作模式（operations mode） 写突发方式(Write Burst) 正常的工作模式通过将M7和M8设置为0选择的，M7和M8用于未来的工作模式或者测试模式，不应该使用这些预留或者测试的模式，以免导致未知的操作或者不兼容的工作方式。编程的突发长度可以用于READ和WRITE突发。 当M9=0，BL通过M0-M2编程，可以用于READ和WRITE突发操作。当M9=1，编程的突发长度只用于READ突发操作，而WRITE访问是非突发的，即按单元访问的。 7.2 随机存取存储器（RAM） 五、 初始化 SDRAM在上电后，必须按照预先定义的方式进行初始化，否则SDRAM芯片不能正常工作。 （1）Active操作 六 操作 ACTIVE命令和WRITE/READ命令之间的时序关系 7.2 随机存取存储器（RAM） （2）读操作 （a）读命令 （b）读命令与输出数据间隔 7.2 随机存取存储器（RAM） 连续的READ突发操作 * * 数字电路与逻辑设计 第七章 半导体存储器 西安邮电学院“校级优秀课程” 第七章 半导体存储器 目的与要求： 1、熟悉存储器的一般结构和工作原理。 2、理解各类RAM的存储原理、读写原理及时序。 3、掌握存储单元、字、位、地址、等基本概念以及 存储容量扩展的一般方法。 4、熟悉存储器设计逻辑电路的原理和方法。 重点与难点： 1、存储器的分类及容量的计算。 2、各类RAM的读写及时序分析 3、用ROM设计组合逻辑电路的方法 第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 随机存取存储器（RAM） 7.3 只读存储器（ROM） 7.4 存储器的扩展 7.5 用ROM实现组合逻辑函数 7.1 概述 一、 半导体存储器的特点与应用 二、 半导体存储器的分类 存储器：用以存储二进制信息的器件。 特点：集成度高、可靠性高、外围电路简单且易于接口。 应用：存放程序、数据、资料等。 按照存储功能划分如下： 7.1 概述 三、 半导体存储器的主要技术指标 1.存储容量： 存储器所能存放信息的多少，存储容量越大则存储的信息越多，系统的功能越强。 用位(bit)表示存储器容量，位数即存储器所需要的单元数。用字节(byte)或者字节的倍数 ，表示存储容量。 2 读写参数： 存储器的读写参数是存储器最重要的参数之一，只有按照严格的时序对存储器进行读写，才能保证存储器的工作正确。 写入时间：从提出写请求到最终把数据写入到存储器之间的时间间隔； 读出时间：从提出读请求到数据在输出端上数据有效之间的时间间隔； 7.1 概述 读写周期：前后两次读或两次写之间所要求的最小时间间隔。 存储器读写时序示意图 7.2 随机存取存储器（RAM） 一、 存