[理学]第5章 非平衡载流子-赵老师-2012.ppt

* 物理与光电工程学院 作业：P179 16 * 物理与光电工程学院 1. 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100μs。计算空穴的复合率。 * 物理与光电工程学院 2. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为gp,空穴寿命为?。 (1) 写出光照下过剩载流子所满足的方程； (2) 求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 * 物理与光电工程学院 5.7 连续性方程 * 物理与光电工程学院 1．少子连续性方程的一般形式 以n型半导体为例 (1) 在x位置，因扩散和飘移运动产生的少子积累： x (2) 其它因素的产生率gp (3) 复合率： * 物理与光电工程学院 少子浓度随时间的变化规律： ------连续方程 对于P型材料，少子连续方程： * 物理与光电工程学院 2．连续性方程的应用 稳态少子连续性方程 n型材料，均匀掺杂，内部没有其它载流子产生，沿x方向加光照后，并加均匀电场，求达到稳态时少子的分布规律。 ●均匀掺杂： * 物理与光电工程学院 ●均匀电场： ●稳态： ●内部没有其它产生：gp=0 稳态时少子的连续方程为： * 物理与光电工程学院 令： * 物理与光电工程学院 对很厚的样品： * 物理与光电工程学院 ?A=0， * 物理与光电工程学院 光激发载流子的衰减 均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半导体上，其内部均匀地产生非子，没有电场，内部也没有其它产生，求光照停止后的衰减方程。 ●均匀掺杂，均匀光照： * 物理与光电工程学院 ●无电场：?=0 ●内部无其它产生：gp=0 t=0，停止光照，?p(0)=?p0，?A=?p0 * 物理与光电工程学院 扩散方程 光照均匀掺杂的N型半导体，无电场，无其它产生时的稳态方程。 ?=0，gp=0， 稳态 均匀掺杂： * 物理与光电工程学院 本章完 * 物理与光电工程学院 用sp(x)表示空穴扩散流密度，则一维情况下，沿x方向的扩散流密度为： Dp表示空穴扩散系数，单位：cm2/s 在浓度梯度方向单位时间内通过单位面积的非平衡载流子数。单位？ 扩散流密度： x x x+?x 思考：单位时间内在x?x+?x范围内积累的空穴数？ * 物理与光电工程学院 ?x很小时，上式可以写为： 在x处单位时间单位体积内积累的空穴数： 单位时间内在x?x+?x范围内积累的空穴数为： * 物理与光电工程学院 －－－稳态扩散方程 而在x处单位时间单位体积内复合的空穴数： 即: 在稳态扩散的情况下,两者应该相等: * 物理与光电工程学院 稳态扩散方程的通解为： 其中 （1）样品足够厚 边界条件： 讨论： 称为扩散长度 扩散长度的意义? * 物理与光电工程学院 此时扩散流密度： 显然, 若x处空穴的扩散速度为vp, 则扩散流密度可表示为： * 物理与光电工程学院 表面的空穴扩散流密度： 对比前式,空穴的扩散速度为： * 物理与光电工程学院 非平衡少数载流子在边扩散边复合的过程中，其浓度减少到原值的1/e时扩散走过的距离。也表示非平衡载流子深入半导体的平均深度. 扩散长度的意义: 在复合前非平衡载流子透入半导体的平均深度： * 物理与光电工程学院 扩散长度由扩散系数和材料的寿命所决定. 通常材料的扩散系数已有标准数据,因此扩散长度作为寿命测量的方法之一. * 物理与光电工程学院 （2）样品厚度为W, 并且在另一端设法使非平衡载流子浓度保持为零 边界条件： * 物理与光电工程学院 * 物理与光电工程学院 结论: 如果样品厚度远小扩散长度,则在稳态扩散的情况下,非平衡载流子浓度在样品内呈线性分布。 当 上式可以简化为: * 物理与光电工程学院 显然,浓度梯度和扩散流密度均为常数. 此时浓度梯度为: 扩散流密度: 在晶体管中, 基区宽度一般比扩散长度小得多, 从发射区注入到基区的载流子分布近似符合上述情形. * 物理与光电工程学院 同理，电子的扩散流密度和稳态扩散方程分别为: * 物理与光电工程学院 扩散电流密度: 电子和空穴都带电载流子, 它们扩散会产生电流,即扩散电流,扩散电流密度为: * 物理与光电工程学院 扩散流密度为: 扩散流密度散度的负值就是单位体积内空穴的积累率: 2、 三维稳定扩散 思考：各个量的单位？ Dp单位：cm2/s * 物理与光电工程学院 ----- 三维稳态扩散方程 电子和空穴的扩散电流密度分别为: 在稳定情况下,它应等于单位时间在单位体积内由于复合而消失的空穴数,因此: * 物理与光电工程学院 作业: P179 14,15 * 物理与光电工程学院 3、 探针注入扩散* 探针注入 设想探针针尖陷入