[研究生入学考试]3 二极管.ppt

半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 d: 窄基二极管 W/Ln1 正偏 反偏 半导体器件原理 南京大学 扩散电流：反向偏压 反偏条件下的产生电流远大于扩散电流。 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的产生-复合电流 产生与复合：正向偏压 半导体器件原理 南京大学 正偏pn结的I-V特性 正向偏压较小时，复合电流为主，较大时扩散电流为主 半导体器件原理 南京大学 扩散电流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT） 产生电流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT） 产生与复合：反向偏压 半导体器件原理 南京大学 反向隧穿 某一特定能量的电子在势垒的另一侧可以找到能量相同的空态时，就可能发生隧穿。 半导体器件原理 南京大学 隧穿过程中的等效势能 半导体器件原理 南京大学 反偏载流子倍增和雪崩 载流子倍增 雪崩 半导体器件原理 南京大学 反向偏压下的击穿 雪崩击穿电压：大于6Eg/q 隧道击穿电压：小于4Eg/q 半导体器件原理 南京大学 反向I-V特性 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的小信号电阻 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的结电阻 半导体器件原理 南京大学 结电容： 按电压平方根反比变化 半导体器件原理 南京大学 存储电荷电容 正比于扩散电流，随偏压指数变化 (可回收比例) 半导体器件原理 南京大学 扩散电容 n+(wide)-p(narrow) 结 CDnCDp 半导体器件原理 南京大学 瞬态特性 反偏时，结电容占主要地位 正偏时，存储电荷电容占主导 半导体器件原理 南京大学 关断的瞬态特性 存储电荷的消失 少子寿命 半导体器件原理 南京大学 开启的瞬态特性： 结电容放电所需的时间或建立少子稳态分布所需的时间 开启时间远小于关断时间 半导体器件原理 南京大学 二极管在开态、关态之间切换时的波形: 负电流与正电压 短基区与长基区的比较 半导体器件原理 南京大学 开关特性 充电时间 宽基 窄基 放电时间 宽基 窄基 tB(10-11s) ?n (10-7s) ?n tB 半导体器件原理 南京大学 线性缓变结 半导体器件原理 南京大学 线性缓变结的电中性和平衡时的能带图 半导体器件原理 南京大学 二极管的SPICE模拟 (/) 南京大学 第二部分 二极管 原型同质pn结 （1）突变结 （2）非突变结 半导体异质结 金属半导体接触 半导体器件原理 南京大学 同质pn结 p n EC EV EF - + diffusion diffusion + + + + + + - - - - - - + drift - drift F 半导体器件原理 南京大学 - + - - - - - - - - + + + + + + + + p-type n-type -Wp 0 Wn 半导体器件原理 南京大学 np(-Wp) Fraction of electrons able to be injected from the n-side to p-side pn(Wn) Fraction of holes able to be injected from the p-side to n-side EFn EFp nn pp Diffusion current = Drift current 零偏压 半导体器件原理 南京大学 Diffusion current Drift current EFn EFp nn pp eV np(-Wp) pn(Wn) 正向偏压 半导体器件原理 南京大学 Diffusion current ~ 0 EFn EFp eV Negligible density of electrons able to cross the barrier Negligible density of holes able to cross the barrier 反向偏压 半导体器件原理 南京大学 原型同质pn结的能带 半导体器件原理 南京大学 原型同质pn结平衡能带图 半导体器件原理 南京大学 同质pn结：准中性区+耗尽区（无自由载流子） 单边突变结： 半导体器件原理 南京大学 反向电压下的同质pn结 半导体器件原理 南京大学 平衡和正向电压下的同质pn结 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的电流描述：平衡时的同质pn结 扩散电流=漂移电流；产生电流与复合电流平衡 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的电流描述：反向偏压下的同质pn结 多子、少子扩散电流很小； 产生电流，复合电流较