晶体中的缺陷和扩散41晶格缺陷的主要类型.PDF

第四章 晶体中的缺陷和扩散 §4.1 晶格缺陷的主要类型 一、点缺陷 理想晶体的主要特征是其中原子的排列具有严格的周期性，但是实际晶体中原子的排列 由于很多原因总是要或多或少地偏离这种严格的周期性，实际晶体内部存在各种各样的缺陷 和位错。这些缺陷和位错影响晶体的力学、热学、电磁学和光学等各种性质。所谓缺陷就是 对严格周期性的破坏。点缺陷包括空位、填隙原子、色心和极化子等. 线缺陷包括位错和小 角晶界，小角晶界可以看成是一些刃位错的排列；面缺陷指堆积缺陷，晶体中在主要晶体结 构的晶面中夹杂有其它晶格结构的晶面排列。 真实晶体的缺陷可以有各种形式，最低维的形式是零维缺陷，即点缺陷。形成点缺陷 (point defects)的方式有两种：Schottky 缺陷与 Frenkel 缺陷。 点缺陷：定域在格点附近一个或几个晶格常数范围内 偏离晶格周期性的结构称为点缺陷. 填 隙原子经过一段时间后，可能返回原来位置，和空位复合；也可能移到较远的间隙中去。这样形 成的空位和填隙原子称为热缺陷。 1. 空位（Schottky 缺陷） :某一原子被激发到晶体表面而在晶体内部留下的空位 . 2. Frenkel 缺陷:由热激发而形成的成对的间隙原子与空位. Frenkel 缺陷: 空位——间隙原子对 形成一个 Frenkel 缺陷要比形成一个空位所需的能量多 些，因而也更难些。 空位和 Frenkel 缺陷的成因都是由于晶格原子的热振动， 因此这两种点缺陷也称为热缺陷。 3. 杂质原子 当晶体中的杂质以原子状态在晶体中形成点缺陷时，称为杂质原子。 • 替位式杂质（代位式杂质）:硅、锗单晶体是 4 价的半导体材料，在没有杂质纯净的情况下， 它们的导电性能很差，如果在高纯的硅、锗单晶体中有控制地掺入微量的 3 价杂质 B、Al 、 Ga 和 In 等，或微量的 5 价杂质 P、As 和 Sb 等，可以使硅、锗的导电性能有很大的改变。例 如在 105 个硅原子中掺入一个硼（B ）原子，就可以使硅的电导率增加 103 倍。实验证明， 这些杂质原子在硅、锗晶体中形成替位式缺陷，代替硅、锗原子所占的位置。 • 填隙式杂质 • 缺位式杂质 4. 色心 色心的产生:将碱卤晶体放在碱金属的蒸气中加热，然后骤冷到室温，原来透明的晶体就出现 了颜色，氯化钠变成淡黄色，氯化钾变成紫色，氟化锂变成粉红色等等。这些晶体的吸收光 谱在可见光区有一个钟形的吸收带，称为 F 带，产生这个吸收带的吸收中心称为 F 心。F 心 是一个卤素负离子空位加上一个被束缚在其周围库仑场中的电子，和氢原子很相似，因此 F 心的能态可以粗略地采用类氢原子模型来处理。F 带的吸收是由于电子从基态到第一激发态 的跃迁形成的。 如将 NaCl 晶体放在Na 金属蒸气中加热，然后再骤冷 至室温，就可在 NaCl 晶体中产生色心。 用 X 射线或  射线辐照、用中子或电子轰击晶体。 二、线缺陷 从晶格结构的角度看，一部分原子发生位移意味着缺陷的产生，这种缺陷就命名为位错。 位错可认为是一种线性的缺陷. 已发生位移与未发生位移的两部分晶体的交界面本是二维的， 但是在局部弹性畸变后，只有截面为几个原子的线性区域是晶体缺陷，因此准确地说位错是 一种准一维缺陷。 位错在外加应力下发生移动（或者说发生位移的原子在外加应力下逐渐增多），晶体中的 宏观滑移才得以实现。有两种比较普通的位错刃位错和螺位错。 更复杂的位错可以用 Burgers 矢量来定量描述。 金属晶体的硬度与位错有直接的关系。实验上有一个矛盾现象：人工制作的几乎是纯净 的金属一般比较软，而提炼程度很差的金属却很硬。这是因为实验室中几乎不可能消灭纯净 金属中的位错，位错在很小的外加应力下就会移动，这样样品就很软。而大量杂质的存在能 给位错的移动以很大的阻力，使得杂质金属反而比较硬。这也是在钢中有碳的原因。 位错的观察有不同的方法。最简单的办法是 1947 年 Bragg