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- 2018-02-18 发布于浙江
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[物理]第5章 场效应管放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时,vI=0,VG =0,ID =I 电流源偏置 VS = VG - VGS (饱和区) VDS = VD - VS =VDD-IDRD- VS 电流源作偏置的NMOS共源极 放大电路(例5.2.3) 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路,交流负载线与直流负载线相同 在漏极特性曲线上做直流负载线, 与 uGS = UGSQ 的交点确定 Q,由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 uDS = VDD – iDRd 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 (1)模型 静态值 (直流) 动态值 (交流) 非线性失真项 当,vgs 2(VGSQ- VT )时, 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 (1)模型 ??0时 高频小信号模型 其他类型的MOSFET小信号模型,在电路形式上一样,参数计算式有所不同,如gm。 2. 小信号模型分析 解:例5.2.2的直流分析已求得: (2)放大电路分析(例5.2.5) s 2. 小信号模型分析 (2)放大电路分析(例5.2.5) s 2. 小信号模型分析 (2)放大电路分析(例5.2.6) 共漏 2. 小信号模型分析 (2)放大电路分析 共漏 3. MOSFET 三种基本放
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