晶体管3.2.ppt

* 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数 （1）基区必须很薄，即 WB LB 。可利用 基区输运系数对其进行定量分析； 要使晶体管区别于两个反向串联的二极管而具有放大作用，晶体管在结构上必须满足下面两个基本条件： （2）发射区杂质总量远大于基区杂质总量，当 WE 与 WB 接近时，即要求 NE NB 。可利用 发射结注入效率 对其进行定量分析。 本节的讨论以 PNP 管为例。 定义：基区中到达集电结的少子电流 与 从发射区注入基区的少子形成的电流之比， 称为 基区输运系数，记为 。对于 PNP 管，为 由于少子空穴在基区的复合，使 JpC JpE ， 。 3.2.1 基区输运系数 由于 WB LB ，根据 2.2.6 节关于薄基区二极管的近似结果 ，可得： 以下用 pB 代表基区非平衡少子浓度 ? pn 。 这里必须采用薄基区二极管的 精确结果 ，即： pB(0) x 0 WB 近似式，忽略基区复合 精确式，考虑基区复合 pB(x) 再利用近似公式 ( x 很小时），得： 根据基区输运系数的定义，得： 静态下的空穴电荷控制方程为 下面再利用电荷控制法来求 。 另一方面，由薄基区二极管的 近似公式 ， 从上式可解出 ，代入 Jpr 中，得： B E C 0 WB JpE JpC 式中， 即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使 WB↓，LB↑。 上面只考虑了少子在基区体内的复合损失，但实际上少子在 基区表面 也会发生复合，使基区输运系数减小。生产中必须严格控制表面处理工艺，以减小表面复合。 3.2.2 基区渡越时间 定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的 基区渡越时间，记为 ?b 。 可以设想，在 ?b 期间，基区内的少子全部更新一遍，因此 的物理意义： 时间， 代表少子在单位时间内的复合几率，因而 就代表 少子在基区停留期间被复合的几率，而 则代表未复合 掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流 之比。 ?b 代表少子在基区停留的平均 注意 ?b 与 ?B 的区别 3.2.3 发射结注入效率 定义：从发射区注入基区的少子形成的电流 与 总的发射极电流之比，称为 注入效率（发射效率），记为 。对于 PNP 管，为 当 WB LB 及 WE LE 时， 为提高 ，应使 NE NB ，即（NB /NE） 1 ，则上式可近似写为 将 代入 中，得： 再利用爱因斯坦关系 ，得： 注意：DB 、DE 代表 少子 扩散系数，?B 、?E 代表 多子 迁移率。 利用 方块电阻 的概念， 可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为 R口 。 对于均匀材料， 对于厚度方向（ x 方向 ）上不均匀的材料， 对于均匀掺杂的发射区与基区， 中，可将 表示为最简单的形式， 代入前面得到的 公式 的典型值：R口E = 10Ω，R口B1 = 1000Ω，γ = 0.9900。 *