[理学]放大电路、反馈电路.pptVIP

半导体器件、集成运放及其应用 N型半导体 半导体中电子的数目增加，这种半导体导电主要靠电子，所以称为电子型半导体，又称 N 型半导体。其中自由电子是多数载流子，空穴为少数载流子。 P型半导体 PN结及其单向导电性 三极管的放大原理 以NPN型三极管为例，要使三极管具有电流放大作用，发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 。 三极管的特性曲线 各电极间的电压与电流之间的关系曲线，是分析三极管电路的重要依据，可用晶体管特性图示仪直接显示，或通过测试电路测试。 输入特性： 2、基本（共射极）放大电路的组成 3、基本交流电压放大电路分析 多级放大电路 2、放大电路中的反馈 反馈放大电路的基本关系式 反馈的极性 瞬时极性法 负反馈 反馈的极性 瞬时极性法 正反馈 根据输出端反馈对象不同分 反馈采样对象是输出电流 反馈的类型 根据输入端采样对象不同分 反馈信号以电压形式出现在输入端 反馈信号以电流形式出现在输入端 并联反馈 串联反馈 电压反馈 电流反馈 反馈采样对象是输出电压 * * 1　半导体的基础知识 2　半导体三极管 3 基本放大电路 4 集成运算放大器 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 空穴 自由电子 共价健 一、半导体的基础知识 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 自由电子 半导体中空穴的数目增加，这种半导体导电主要靠空穴，因此称为空穴型半导体，又称P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 空穴 通过一定的工艺，使一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起时，在他们的交界处会形成一个特殊区域，称为PN结。 1. PN结的形成 PN结加正向电压导通、反向电压截止。 空间电荷区变窄 内电场 正向电流大 外电场 2. PN结单向导电性 P N + + + - - - 三极管的基本结构、符号 发射结 集电结 PNP NPN B C E 集电区 发射区 基区 发射极 集电极 基极 B C E C 集电区 发射区 基区 发射极 集电极 基极 B C E C B C E 二、半导体三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 常见外形 IB IC IE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 扩散到基区的电子只有少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，其余扩散到集电结边缘。 集电结反偏，从基区扩散来的电子漂移过集电结被集电结收集，形成IC。 RB RC UCC RC RB IC ＋ － UCE ＋ － μA mA V V UEB IB UBE UCC UBE/V IB/mA 1.0 O 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.2 0.6 0.4 0.8 20℃ UCE=0V UCE≥1V UCE/V 4 2 截止区 IC/mA O IB=0 放 大 区 5 10 20（μA） 40 80 60 100 120 饱和区 截止区：发射结和集电结均反偏，IB=0 。 放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置，IC=?IB。 饱和区：集电结、发射结正偏，饱和压降硅管UCES?0.3V。 输出特性： 1、放大的概念： 在电子线路中，放大的本质是在输入信号的作用下，通过半导体器件对直流电源的能量进行控制和转换，是负载从电源中获得的输出信号能量，比输入信号的能量大得多，表现为输出电压大于输入电压，或输出电流大于输入电流，或兼而有之。 三极管 三、基本放大电路 +UCC C2 ＋ C1 ＋ RC RB VT ＋ － ＋ － B E C ui uo RL RS ＋ － uS 集电极电源UCC使集电结反偏，为电路提供能量。 集电极电阻RC将变化的电流转变为变化的电压。 基极电阻RB调节偏置电流，使三极管有合适的工作点。 耦合电容C1 、C2传递交流信号，同时使放大电路与信号源和负载之间直流相隔离。 晶体管T放大元件, 用基极电流控制集电极电流。 静态：放大电路无交流信号输入。 静态分析：确定放大电路的静态值。 静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ 。 分析放大电路可分为静态分析和动态分析。 动态：放大电路有交流信号输入。 动态分析: 分