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[理学]第7章 半导体存储器10

7.4.3 用存储器实现组合逻辑函数 作业 P315 7-4、7-5、7-6 7-8:实现7段显示功能译码器(功能表见P128) 7.5 ROM的应用举例 1. 用于存储固定的专用程序 2. 利用ROM可实现查表或码制变换等功能 查表功能 -- 查某个角度的三角函数 把变量值(角度)作为地址码,其对应的函数值作为存放在该地址内的数据,这称为 “造表”。 使用时,根据输入的地址(角度),就可在输出端得到所需的函数值,这就称为“查表”。 码制变换 -- 把欲变换的编码作为地址,把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。 例如:例7-1 ROM D/A 计数器 CP 计数脉冲 送示波器 3 4 uo A1 A2 A0 D3 D2 D1 D0 D/A 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 4 8 12 9 6 3 t uo 0 3. ROM 在波形发生器中的应用 * 第 7 章 半导体存储器 第7章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 顺序存储器(SAM) 7.3 随机存储器(RAM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.1.1 半导体存储器的特点与应用 7.1 概述 寄存器--- 容量小(几位触发器组成) 存储器---容量大(存储单元矩阵组成) 应用:计算机与数字系统中的存储器 (2) 随机存储器( RAM ) --- Random access memory (3) 只读存储器( ROM ) --- read-only memory 7.1.2 存储器分类 固定ROM: ROM 不能写入 一次可编程ROM: PROM 只能写入一次 光可擦写ROM: EPROM 可多次写入 (用紫外线擦除,再用几十伏高压写入) 电可擦写ROM:E2PROM (用电信号擦除,再用几十伏高压写入) SRAM --- 静态存储器 速度快, 面积大,价高,容量小。作为高速Cache DRAM --- 动态存储器 速度慢,面积小,价低,容量大。作为内存 (1) 顺序存取存储器(SAM) --- Sequential access memory 存入(写)或取出(读)按顺序进行。具有“先入先出”或“先入后出”的特点。 1. 按制造工艺分 双极型: 工作速度快、功耗大、价格较高。 MOS型: 集成度高、功耗小、工艺简单、价格低。 2.按存取方式分 快闪存储器(Flash Memory)是一种非易失性存储器,数据删除以固定的区块为单位 可在任何时刻随机地对任意一个单元存取信息。 信息被固化到存储器内,信息断电也不会丢。只能读出信息,而不能写入。 ROM引脚 EN 地址线:A10 --- A0 共11根 211 = 2048 根字线 数据线:D7 --- D0 共8根线 1根字线有8位存储单元 容量的二种表示法 1)存储器的容量= 211 × 8 = 2048 × 8 =16K 2)存储器的容量= 211 × 8 = 2048 × 8 =2KB 1B称为1字节 (1字节=8位) 1位称为1bit ROM A0 A1 A2 A9 A10 D7 D6 D5 CS D1 D2 D3 D4 D0 片选端 CS 存储器的主要技术指标 1、存储容量: 存储单元的个数 2、存取时间 存取时间用读(或写)周期来描写。 定义:连续两次读取(或写入)操作所间隔的最短时间,称为读(或写)周期。 容量=字数×字长 字长:数据位数 动态CMOS反相器 7.2 顺序存取存储器(SAM) SAM主要由动态移存器构成 Q D Q Q3 D Q D Q D 移位脉冲 CP 读取数据 Q1 Q2 Q0 存入 数据 在不断刷新的前提下,可以存储大量数据 存取数据时,必须按先进先出或先进后出的原则顺序进行 动态移存单元 随机存储器又称读写存储器。 随机存储器的特点是:在工作过程中,既可从存储器的任意单元读出信息,又可以把外界信息写入任意单元,因此它被称为随机存储器,简称 RAM 。 Random Access Memory . . . RAM 按功能可分为 静态、动态两类; RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。 §7.3 随机存取存储器( RAM ) 7.3.1 基本存储单元 Wi D D

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