材料制备化学(九).pptVIP

第四章 材料制备化学  2.气相沉积法 先用各种不同的工艺将固体的原子或离子以气态 形式离解出来，然后使它们无规则地沉积在冷却底板 上，从而形成非晶态。根据离解和沉积方式的不同， 可有以下几种方法： （1）溅射法：将样品先制成多晶或研成粉末，压缩 成型，作为溅射靶，溅射室内充有惰性气体如氩气， 在高压下可以电离化。用带电粒子束轰击使表面原子 受到碰撞而溅出。带有一定动能的溅出原子会沿一定 方向射向衬底，而沉积成膜。 溅射法 溅射的原子有大的能量，初始原子撞击衬底表面即进入几个原子层深度，这有助于薄膜层与衬底间的良好附着力。溅射法的另一个优点是可以改变靶材料产生多种溅射原子，并不破环原有系统，因此可以形成多层薄膜。 溅射法广泛应用在诸如由元素硅、钛、铌、钨、铝、金和银等形成的薄膜，也可以用于形成包括耐火材料，如碳化物、硼化物和氮化物在金属工具表面形成薄膜，以及形成软的润滑膜如硫化钼，还用于光学设备上防太阳光氧化物薄膜等。相似的设备也可以用于非导电的有机高分子薄膜的制备。 （2）真空蒸发沉积：蒸发物质放入一定真空度的真 空室中,利用加热蒸发物质, 其蒸汽达到衬底的表面从 而凝结成膜的一种方法。主要用于制备非晶态金属、 半导体和金属薄膜等。 真空蒸发沉积法 （3）电解和化学沉积：该法成本低、工艺简单，主要用于制备大面积非晶态薄层。 （4）辉光放电分解法：辉光放电是指在稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。辉光放电分解法是利用反应气体在等离子体中发生分解而在衬底上沉积成薄膜的方法。实际上是在等离子体帮助下进行的化学气相淀积。等离子体是由高频电源在真空系统中产生的。 非晶态半导体锗和硅的制备方法主要为辉光放电分解。如：将锗烷或硅烷放在真空室中，用直流或交流电场加以分解。分解出来的锗和硅原子沉积在预热的衬板上，快速冷凝形成非晶态薄膜。 例如由SiH4和NH3反应生成Si3N4，应用辉光放电分解法，可以在300℃的低温条件下实现Si3N4介质膜的均匀大面积沉积。 晶体生长 一、熔体的固化 将相应组成的固体材料加热熔化，然后在受控 条件下，通过降温等手段使熔体逐渐凝固成晶体。 包括：提拉法 坩埚下降法 悬浮区熔法 焰熔法等 1.提拉法 这是一种直接从熔体中拉出单晶的方法。将用于 晶体生长的原料放在坩埚中加热成为熔体，熔体的温 度调节到略高于原料的熔点。将籽晶固定于可以旋转 和升降的提拉杆上。降低提拉杆，将籽晶插入熔体， 籽晶慢慢在熔体里生长。提升提拉杆，使晶体一面生 长，一面被慢慢地拉出来。 红宝石晶体 Y3Al5O12Nd 晶体 提拉法的特点： 可方便、精确地控制和调整生长条件； 可使用定向籽晶、“回熔”和“缩颈”等工艺，提高晶体完整性并得到所需取向的晶体； 观察方便，控温精度高，可以较快的生长速率生长高质量的晶体； 晶体不与坩埚接触，显著减小晶体的应力和坩埚壁寄生成核的影响； 可能会存在不同程度的坩埚污染和挥发损失，造成散射颗粒、包裹体和组分偏离等； 不能用来生长在冷却过程中有固态相变的材料 2.坩埚下降法 将用于晶体生长用的原料装在圆柱型的坩埚中, 缓慢地下降，并通过一个具有一定温度梯度的加热 炉，炉温控制在略高于材料的熔点附近。在通过 加热区域时，坩埚中的原料被熔融，当坩埚持续下 降时，坩埚底部的温度先下降到熔点以下，并开始 结晶，晶体随坩埚下降而持续长大。这种方法常用 于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶。 T1 T2 T1〉T2 方奇术将LiCaAlF6多晶料密封在铂坩埚中, 在 非真空条件下实现LiCaAlF6单晶的坩埚下降法生长。 在单晶生长过程中, 炉体温度控制于910-930℃, 固 液界面温度梯度为30℃·cm-1 左右, 坩埚下降速率为 0.5-1.0 mm·h-1, 成功生长出无色透明的LiCaAlF6单 晶。 宁波大学学报（ 理工版），2010 ，2，66-70 下降法的特点： 坩埚可密封，挥发少，组分易控制； 操作简单，生长过程易于程序化、自动化； 生产效率和成品率较高，易于工业化生产； 固液界面稳定； 可生长大尺寸异型晶体； ? 不宜生长负膨胀系数的晶体； ? 晶体应力较大； ? 熔体对流差，生长周期长； ? 直接观察和使用籽晶均比较困难； ? 体系的自排杂能力弱，晶体中杂质较多； ? 对坩埚的技术要求更高一些。 3.悬浮区熔法 悬浮区熔法是在20世纪50年代 提出