[2018年最新整理]5电子元件封装技术发展.pptVIP

目 錄 一、電子元器件封裝發展的趨勢 二、封裝技朮發展的四個階段 三、電子元器件封裝技朮最新進展 四、未來的電子元器件封裝技朮 * 電子元器件封 裝技朮的發展 1.1 片式元件的发展 1.2 積成電路發展趨勢 一、電子元器件封裝發展的趨勢 在電子產品的各種元件當中，可以區分為兩類 　　主動元件（active component）能夠執行資料運算、處理的元件，包括各式各樣IC。 　　被動元件（passive component）有些電子元件也有電流訊號通過，不過，這件元件並不會對通過的電流訊號進行任何運算，只是將其訊號強度放大或是單純地讓電流訊號通過，最常見的就是電阻、電容等。 1.1 片式元件的发展 1.??????SMC――片式元件向小、薄型发展﹕ 其尺寸从1206（3.2mm＊1.6mm） 向0805（2.0mm＊1.25mm） －0603（1.6mm＊0.8mm） －0402（1.0mm＊0.5mm） －0201（0.6mm＊0.3mm） －01005(0.4mmx0.2mm)发展 電子零件尺寸動向 2.SMD――表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展﹕ 引脚中心距从1.27向0.635mm－0.5mm－0.4mm及0.3mm发展。 3.　出现了新的封装形式BGA（球栅阵列，ball grid arrag）、CSP（UBGA）和FILP CHIP（倒装芯片） 窄间距技术（FPT）是SMT发展的必然趋势 　　FPT是指将引脚间距在0.635－0.3mm之间的SMD和长＊宽小于等于1.6mm＊0.8mm的SMC组装在PCB上的技术。 (1) IC製程技術趨勢:互補性金氧半導體 (2) IC密度趨勢:記憶體增加率1.5/year (3) IC晶片尺寸趨勢:晶片面積約每年以13%成長,微處理 器增加率1.35 /year (4) IC效能趨勢:工作頻率迅速成長，但須有適當的傳輸 線。 (5) IC操作電壓趨勢:操作電壓5V 　　3V or 3.5V預　 估可降至2.5V 1.5V (6) IC設計週期:從500000個/設計 30000個/設計 1.2 積成電路發展趨勢 IC的尺寸與推展﹕ SSI:一顆IC含10個電晶體 MSI:指一顆IC含102個電晶體 LSI:指一顆IC含104個電晶體 VLSI:指一顆IC含106個電晶體 ULSI:指一顆IC含108個電晶體 GSI:指一顆IC含109個電晶體 以電子元件尺寸為例,材料製程技術演進 微米技術(~10-6m):SSI, MSI, LSI 次微米技術(10-6m):VLSI, 微機電 奈米技術(10-6m) : 奈米元件, 微機電 2.1 第一階段 2.2 第二階段 2.3 第三階段 2.4 第四階段 二、封裝技朮發展的四個階段 為80年代以前的通孔安裝(THD)時代﹐通孔安裝時代以TO型封裝和雙列直插封裝為代表﹐IC的功能數不高﹐引腳數較少(小于64)﹐這類封裝的引線間距固定﹐封裝可由人工用手插入PCB的通孔中 2.1 第一階段 第二階段是80年代的表面安裝器件時代﹐表面安裝器件時代 的代表是小外形封裝(SOP)和扁平封裝(QFP).大大提高管腳數和組裝密度﹐是封裝技朮的一次革命﹐引線間距為1.0,0.8,0.65,0.5,0.4mm﹐這一階段也是金屬引線塑料封裝的黃金時代 2.2 第二階段 　　第三階段是90年代的焊球陣列封裝(BGA)/芯片尺寸封裝(CSP)時代﹐BGA封裝加寬了引線節距并采用了底部安裝引線方式﹐日本將BGA的概念用于CSP﹐開發了引線節距更小的CSP封裝﹐進一步減少了產品的尺寸和重量。 2.3 第三階段 21世紀的3D疊層封裝時代﹐代表性的產品將是系統級封裝(SIP: system in a package)﹐從原來的封裝元件概念演變成封裝系統。它是將多個芯片和可能的無源元件集成在同一封裝內﹐形成具有系統功能的模塊﹐從而可以實現較高的性能密度﹑更高的集成度﹑更低的成本和更大的靈活性。 2.4 第四階段 3.1 封裝新材料 3.2 先進的電子元器件封裝 3.3 零件的相關資訊 三、電子元器件封裝技朮最新進展 電子元件封裝的最新進展主要體現在新材料和新技朮兩個方面 1.低溫共燒陶瓷材料(LTCC) LTCC是相對應與HTCC(高溫共燒陶瓷)的一類封裝材料﹐其主要成份是由一些玻璃陶瓷組成﹐燒結溫度低﹐可與賤金屬共燒﹐具有介電常數低﹑介電損耗小﹑可以無源集成等優點﹐尤其是優良的高頻性能。 3.1 封裝新材料 2. 高導熱率氮化鋁陶瓷材料 它是90年代才發展起來的