[信息与通信]h第八章薄膜传感器.ppt

* 本课件配套教材 新型传感器原理及应用 ISBN 7-111-09929-X 作 者: 王元庆 出版者: 机械工业出版社 南京大学电子科学与工程系 第 八 章 薄 膜 传 感 器 薄膜热传感器 薄膜应变片 薄膜气敏传感器 金属薄膜热电阻 多晶硅薄膜热电阻 薄膜应变片简介 薄膜应变片原理 薄膜应变片的制作及特性 SnO2气敏薄膜 气敏特性 Department of Electronic Science and Engineering, Nanjing University 第一节 薄膜热敏传感器 金属薄膜热电阻 多晶硅薄膜热电阻 SENS R Principles and Applications of Novel 1、金属薄膜热电阻 2、多晶硅薄膜热电阻 80年代以来，薄膜技术不断成熟，薄膜热电阻随之发展起来。 技术背景： 一、金属薄膜热电阻 德、日和美相继建成规模化生产线，我国研究机构（如上冶所）在薄膜热电阻的工艺研究上取得了突破性进展，并不断有产品投入市场。 目前，阻值已扩大到2000Ω，元件尺寸已缩小到1.6ｍｍ×1.25ｍｍ×1.1ｍｍ。 结构上有带线平面型、无引线的SMD型和外伸导线型等。高温薄膜热电阻的温度范围提高到850℃甚至1100℃，低温工作温度-55℃。 薄膜热电阻与其它测温传感器的比较 传感器名称 优 点 缺 点 薄膜热电阻 外形尺寸小，强，一致性，热响应时间短，性能稳定。 工作电流小，自热影响大。 厚膜铂电阻 焊接性强，性能稳定，自热小。 外形尺寸较小，一致性较好，热响应时间较短。 线绕铂电阻 可测量高温，可作为标准温度计。 体积大，抗震性差，存在应力影响。 热敏电阻 温度系数大，价格低 测温范围小，非线性、离散性大 热电偶 可测量高温 需要冷端补偿 制作工艺 敏感膜(2?m) 基片 引线 真空沉积技术，将微细铂粉沉积在基片上形成薄膜 对零度阻值进行激光修正，误差小于±0.05% 玻璃烧结料将引线烧结固定 薄膜热电阻阻值与温度变化之间的关系： 电阻与温度的关系 a = 3.90802?10-3 b = - 5.80195?10-7 c = - 4.27351?10-12 电阻温度系数 标称阻值的允许误差等分 R0 ——0℃时电阻阻值或称作标称阻值 一般为100Ω、500Ω、1000Ω Δt ——温度差值，Δt = t-0 Rt ——温度t时传感器的电阻值 一般取t = 100℃来测定TCR A级±0.06% B级±0.12% C级±0.24% 纯金属电阻率与温度的关系(布洛赫--格林爱森公式) 工作机理 基于纯金属材料的电阻率随温度的升高而增加的原理来测量温度的。 Ａ——金属特性常数 M——金属原子量 ΘＤ——金属的德拜温度，例如Ni的ΘＤ = 450Ｋ ρ(Ｔ)——温度Ｔ的电阻率 当Ｔ0.5ΘＤ时，近似有： 定义：一定温度内，金属薄膜材料的平均电阻温度系数 Rt —— 金属在温度点t时的电阻值 Rt0 —— 金属在温度点t0时的电阻值 ρ0是温度为t0时的电阻率 一般情况下，连续结构金属薄膜的散射几率为： 单位(1/℃) p = p1 + p2 + p3 + p4 + p5 p1 ——声子对电子的散射几率 p2 ——杂质对电子的散射几率 p3 ——晶体缺陷对电子的散射几率 p4 ——晶界对电子的散射几率 p5 ——薄膜表面对电子的散射几率 随温度变化 二、多晶硅薄膜热电阻 多晶硅薄膜：多晶硅薄膜的电阻率随温度而变化，同时具有较大的应变系数，可望应用于高温测量； 微系统(MEMS)技术：微系统的加工工艺与集成电路工艺具有兼容性，可容易地将微机械多晶硅薄膜微传感器与整个微系统制作在同一硅衬底上，将信息的获取、处理和执行部分一体化，形成真正的系统。 技术背景 多晶硅薄膜由许多晶向不同的微小晶粒和连接它们的晶粒间界组成的。 多晶硅薄膜 晶粒间界是晶粒之间的过渡区，晶粒间界的原子排列高度无序，呈非晶态结构，电阻率很高。 每个晶粒可以看成一个小的单晶体，晶粒内部原子呈周期性有序排列。 晶粒 晶粒间界 (几个原子层厚) 通过对薄膜中载流子移动过程的影响，晶粒间界决定了多晶硅薄膜电阻值。 定性分析 多晶硅薄膜类似由许多单晶硅小晶粒通过晶界串联而成 存在高密度的悬挂键和缺陷形成的载流子陷阱 陷阱俘获晶粒中的自由载流子，使晶界带电形成多子势垒 晶界两侧形成耗尽层，陷阱密度决定其宽度 ρg ρb 总电阻率 ρ=ρg+ρ