第3章 三极管.pptVIP

第三章 三极管 3.1 n-p-n晶体管 3.2 理想的电流电压特性 3.3 典型的n-p-n晶体管特性 3.4 三极管模型 3.5 击穿电压 3.1 n-p-n晶体管 三极管基本工作原理 简单二极管理论的修正 n-p-n晶体管一维表示及剖面图 能带图 符号 N-p-n晶体管在离子注入或扩散时掺杂浓度剖面 N-p-n晶体管在用多晶硅发射区时的掺杂浓度剖面 用经验公式计算的带隙变窄现象 N-p-n晶体管电流电压特性 N-p-n晶体管Gummel图 电流增益与收集结电流的关系 典型的现代N-p-n晶体管的寄生电阻 Early电压定义 B-C结大偏压时正向工作的npn晶体管 N-p-n晶体管B-C结大反向偏压时的Gummel图 N-p-n晶体管B-C结电荷分布 器件模拟的掺杂浓度 电场分布 收集区中过剩的空穴浓度 收集区中过剩的电子浓度 器件剖面图 npn晶体管的电流-电压特性（包含隧道电流） Npn晶体管基本的Ebers-Moll模型 Npn晶体管直流Ebers-Moll模型 包括寄生效应的Npn晶体管直流Ebers-Moll模型 正向工作时Npn晶体管直流Ebers-Moll模型 包括寄生效应正向工作时Npn晶体管直流Ebers-Moll模型 忽略寄生效应Npn晶体管小信号混合?模型 包括寄生效应Npn晶体管小信号混合?模型 击穿电压定义 共发射极电流-电压特性IB=0共基极电流-电压特性IE=0 电子和空穴在晶体管内的运动 最近报道的npn晶体管BVCE0和BVCB0的值 二次击穿现象 二次击穿临界线 说明电流集中二次击穿的简单模型 发射极镇流电阻 基极开路时，集电区电场分布 基极开路时，IC-VCE特性曲线 双层集电区示意图 钳位二极管结构示意图 晶体管的安全工作区 不同条件下的晶体管安全工作区 * * *