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LED产业链简介 LED产业链结构 1：蓝宝石衬底生产 2：外延 3：芯片制造(重点介绍内容) 4：芯片封装 5：LED应用 LED的本质 目前我司生产的LED 目前我司生产的LED主要以波长为440-460nm之间的蓝光LED芯片 平面（镜面），PSS和粗化片的概念与区别 平面片为最早的晶片，指的是蓝宝石衬底是平的；而PSS指的是图形化衬底，蓝宝石衬底不是平整的，而是做成重复的山包形状。而粗化指的是外延衬底生长完成后在P层表面是否进行粗化处理。所以理论上存在4中类型晶片： 1：镜面非粗化片（完全镜面） 2：镜面粗化片 3：PSS的非粗化片 4：PSS粗化片 PSS图片 芯片制造工艺流程图 去铟球清洗（外延快测后没有清洗铟球会导致粘片破片） 外延片清洗 P-Mesa光罩作业 N-ITO蚀刻前预处理 利用氧气加射频将ITO欲蚀刻区域轰击干净，防止留有残胶，影响蚀刻效果。 ITO蚀刻（不去光阻） 将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀10min P-mesa刻蚀 利用ICP刻蚀机，主要气体为CL2和BCL3,主要作用离子为氯离子，现刻蚀深度带ITO测量为12000?左右。 去光阻 去光阻后片上图形，紫红色区域为ITO。 ITO光罩作业 将所需P区图形留出，待下一步去除P区ITO。 P-ITO蚀刻前预处理 原理同N-ITO蚀刻前预处理 ITO蚀刻 将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min 去光阻 N区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备 ITO熔合 熔合目的： 主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧姆接触。 熔合条件： 温度：500℃，10min N/P电极光罩作业 采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液去掉，留下电极蒸镀区域。 N/P电极蒸镀金属剥离 采用蒸镀机，电极分三层：Cr﹨Pt﹨Au,厚度分别为：200?﹨ 300? ﹨ 12000? 金属熔合 熔合目的： 增强欧姆接触，提高稳定性 熔合条件： 温度：250℃，5min SiO2沉积 采用设备：PECVD 主要气体：SiH4/N2O SiO2作用：保护芯片，增加亮度 开双孔光罩作业 将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻 SiO2蚀刻 将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蚀35sec,露出电极。 去光阻 左图绿色阴影区域为SiO2，黄色阴影区域为金属电极。 研切的目的 将一整片上的LED分开，形成一粒粒的芯片。并且在此过程中保持晶片完整，干净，研切工序是影响芯片成品率的主要工序。 如下图： 研磨切割车间工序 上蜡 (Bonding) 研磨 (Grinding) 抛光 (Polishing) 下蜡 清洗 粘片 切割 (Scribing) 裂片 (Break) 一、wafer的减薄过程 一、wafer的减薄过程 一、wafer的减薄过程（减薄厚度便于切割，抛光消除应力） 关于研磨抛光破片的几种原因 应力：单位面积上所承受的附加内力，即材料在受到外力作用，不能位移就会产生形变，材料内部会产生并聚集抵抗形变的内力，我们可以理解某点的应力为该点内力的聚集度。 特点：材料上受到任何的力，热等其他外在作用力时均会产生应力，晶片研磨后下蜡出现翘曲即是应力快速释放的结果。 应力和划痕是破片的主要原因 应力和划痕是破片的主要原因 保证晶片没有翘曲即是应力相互抵消，通过控制研磨和抛光的厚度可以适当的减小晶片的应力，但如果本身晶片的积累的应力过大，研磨和抛光的作用就不太明显。 应力和划痕是破片的主要原因 芯片点分车间作用 将分离后的芯片按照不同的光电参数，外观等级将芯片分类，不同等级芯片售价不同。 点测工序 使用点测机台测出芯片的光电性能，常见的几项参数为： VF1:正向工作电压（20mA） VF4：正向小电流电压(1uA) WLD1：波长 LOP1：芯片亮度 IR：芯片漏电流(反向5V电压) 大圆片与方片的区别 大圆片：为芯片制程完成后经过IPQC点测后晶片完成研切工序后直接进入目检挑出外观不良的芯片后入库，不做全点测和分选，及出售的给客户的大圆片中会存在光电参数不良的芯片，但一般会控制在5%以内。 方片：完成切割裂片的晶片经过全点测，分选成方片，每张方片上的光电参数的范围均一致，出售给客户时里面不能由不良品。 分选工序 通过点测机台测出的光电参数，将每颗芯片分类。 目检工序 在显微镜下将外观不符合标准的芯片挑出。如下图为研切车间常见的异常 封装后的成品 封装工艺简介 封装工艺 芯片封装一般分为固晶、焊线、灌胶、切角和测试五个部分。 固晶 银胶（或绝缘胶）解冻； 排支架; 点胶:将银胶点在支架的阳极或阴极之固晶位的中心位上；