用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶-Journalof.PDFVIP

　第 20 卷第 9 期 半　导　体　学　报 . 20, . 9 V o l N o 　1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999 用改进的气相物理输运法 制备高品位CdTe 单晶 1 2 2 杨柏梁 　石川幸雄 　一色实 ( 1　中国科学院长春物理研究所　长春　130021) (2　日本东北大学素材工学研究所) 摘要　以超高纯T e 和重复区熔法获得的超高纯 Cd 为原料, 用改进的气相物理输运法制备了 高质量的CdT e 单晶. 改进的 PV T 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污, 提高 了生长速率和稳定性. 利用电子回旋共振, 光致发光等方法的测试结果表明, 所获得的高品位 14 - 3 5 2 CdT e 单晶的中性施主杂质浓度仅为 5 ×14 cm , 42K 下电子回旋迁移率高达 2 5 ×10 cm ( ·). V s : 6150 , 3250 , 7220, 3220 PACC C F F 1　引言 有关CdT e 单晶材料的研究已经有很多报道, 然而和其他 族材料一样, CdT e 单晶 中很多杂质和本征缺陷的行为及其复杂的相互作用尚未澄清, 有关 CdT e 材料的一些物理 特性的研究也还有争议, 因而对这种材料的电学和光学特性还很难进行精确的控制. 所有这 些严重地延滞了这种材料在应用上的发展. 提高晶体的质量是解决这些问题, 并使该材料在 应用上获得突破的关键因素. 由于显著的提纯和抑制本征缺陷的效果, 气相物理输运(Phys ) [ 1～ 6 ] ical V apo r T ran spo rt 又称升华法曾被广泛地用来制备高质量 族单晶 . 然而, 因其 较差的稳定性和较慢的生长速率这种方法的应用受到限制. 许多工作表明, 在 PV T 法生长 中, 晶体生长的控制步骤是气相质量输运过程[ 4～ 6 ] , 而原材料的表面氧化和易升华性杂质的 存在会严重地影响气相的构成和组分的分压, 进而劣化质量输运效率. 本文对传统的 PV T 生长安瓶进行了改进, 使用超高纯的原料, 制备了高品位的 CdT e 单晶. 并通过电回旋共振、光致发光和红外透射进行了评价. 2　实验方法 2 1　超高纯 Cd 的制备及评价方法 ( ) 我们对商品 6 纯度的 朝日金属 用重复区熔法做了进一步的提纯. 原料 被熔 N Cd Cd 杨柏梁　男, 1965 年出生, 研究员, 从事液晶显示和半导体材料与器件的研究工作 收到,定稿 760 半　导　体　学　报 20 卷 化在石英杯中, 然后取出装入长 500 的石墨舟中. 用