【2018年最新整理】大晶粒多晶硅片及电池片光衰分析.ppt

大晶粒多晶硅片及电池片光衰分析 电池研发 余可 2011年06月 实验概述 * 实验内容：分析大晶粒多晶硅片及电池片光衰； 实验仪器：34线RENA制绒、WT2000-PVN、3D显微 镜、MS203、2线 Berger测试机、光衰仪； 实验样品：掺B单晶硅片、 V级掺B大晶粒多晶硅片、 M级掺B大晶粒多晶硅片、大晶粒面积占50%的掺B多晶硅片；1档~12档2线大晶粒多晶硅电池片； 大颗粒多晶硅片光衰分析 实验流程 * 硅片酸制绒 光衰2h 测试 光衰2h 测试 光衰2h 测试 光衰2h 测试 常温暗室 放置20h 常温暗室 放置20h 光衰16h 测试 光衰光强：~10倍标准光强 光衰总时间：24h 单晶硅片绒面 凹坑深度 ~2.35μm M级硅片绒面 凹坑深度 ~2.65μm 50%大晶粒硅片 绒面 凹坑深度 ~2.61μm V级硅片绒面 凹坑深度 ~2.66μm 3D显微镜绒面形貌 * 大晶粒多晶硅片制绒片 * M级酸制绒片 50%大晶粒面积酸制绒片 V级酸制绒片 M级大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图 * 制绒片 ~2.322μs 光衰2h ~1.81μs 光衰4h ~2.04 μs 光衰6h ~1.779 μs 光衰24h ~1.879 μs 光衰8h ~1.927 μs A B A区 电阻率~1.35Ω·cm 少子寿命~2.15 μs B区 电阻率~1.30 Ω·cm 少子寿命~1.65 μs 24h光衰后，少子寿命下降~19% 50%大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图 * 制绒片 ~2.694μs 光衰2h ~1.949 μs 光衰4h ~2.105 μs 光衰6h ~1.857μs 光衰8h ~2.076 μs 光衰24h ~1.984 μs A B A区 电阻率~1.50Ω·cm 少子寿命~2.45 μs B区 电阻率~1.45 Ω·cm 少子寿命~1.65 μs 24h光衰后，少子寿命下降~26% V级大颗粒多晶硅片光衰减WT2000少子寿命图 * 制绒片 ~~3.062μs 光衰2h ~2.048μs 光衰4h ~2.189μs 光衰6h ~1.916μs 光衰8h ~2.086μs 光衰24h ~2.037μs A B A区 电阻率~1.69Ω·cm 少子寿命~2.27 μs B区 电阻率~1.68 Ω·cm 少子寿命~1.68μs 24h光衰后，少子寿命下降~33% 单晶硅片光衰减WT2000少子寿命图 * 制绒片 ~2.156 μs 光衰2h ~1.733 μs 光衰4h ~1.804 μs 光衰6h ~1.602 μs 光衰8h ~1.742 μs 光衰24h ~1.633 μs A B A区 电阻率~1.33Ω·cm 少子寿命~ 1.55μs B区 电阻率~1.38 Ω·cm 少子寿命~1.78 μs 24h光衰后，少子寿命下降~24% 电阻率和少子寿命随光衰时间变化曲线 * V级大晶粒多晶硅片电阻率最高，少子寿命最长。 常温暗室放置20h，少子寿命上升，由于Fe含量较高所致 　 电阻率 少子寿命 光衰前 24h光衰后 变化率 M级大晶粒多晶硅片 1.25 2.322 1.879 -19% 单晶硅片 1.32 2.156 1.633 -24% 大晶粒面积50%多晶硅片 1.52 2.694 1.984 -26% V级大晶粒多晶硅片 1.72 3.062 2.037 -33% * 电阻率越高，少子寿命光衰越严重 大颗粒多晶硅电池片光衰分析 实验流程 * 电池片取样 光衰2h 测试 光衰2h 测试 光衰2h 测试 光衰4h 测试 光衰6h 测试 光衰4h 测试 光衰4h 测试 光衰光强：~10倍标准光强 光衰总时间：24h 1档~12档大晶粒多晶硅电池片光衰分析 * 光衰导致漏电上升 光衰导致串联电阻上升，并联电阻下降 光衰2h 分档 效率区间 1档 0.18 2档 0.178~0.18 3档 0.176~0.178 4档 0.174~0.176 5档 0.172~0.174 6档 0.17~0.172 7档 0.168~0.17 8档 0.166~0.168 9档 0.164~0.166 10档 0.162~0.164 11档 0.16~0.162 1