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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术-强激光与粒子束
第 卷 第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ,
18 3 Vol.18 No.3
年 月 ,
2006 3 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS Mar.2006
文章编号: ( )
1001-4322200603-0487-04
微电路FPGA的 电离总剂量效应与加固技术*
γ
,
1 2 2 2 1
袁国火 , 杨怀民 , 徐 曦 , 董秀成
( 西华大学电气信息学院,成都 ; 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳 )
1. 610039 2. 621900
摘 要: 讨论了 Actel公司的FPGA芯片 A1280XL在有偏置和无偏置条件下的 电离总剂量效应,试
γ
验结果表明偏置条件对 FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下 FPGA芯片 A1280XL 失效阈最
小,为 ( );无偏置时 失效阈最大,为 ( )。对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并
12.16G Si FPGA 33.2G Si
y y
提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选
取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽。
关键词: FPGA; 电离总剂量; 辐照效应; 加固方法
中图分类号: TN386 文献标识码: A
大规模和超大规模集成电路( / )技术是现代电子学的核心和关键。大规模集成电路现场可编程
LSIVLSI
门阵列( , )在空间领域得到了日益广泛的应用。但是, 处于空间电
field rorammable atearra FPGA FPGA
p g g y
离辐射环境时,性能会受到影响,严重时甚至会完全失效。采用经过辐射加固的器件是一种解决办法,但是加
固器件成本高,而且不易获得。因此,一般情况下,使用的是商用器件,其抗辐射性能难以得到保障。这样,商
用 的抗电离总剂量问题就需要考虑,可以采取一定加固措施以提高抗总剂量能力。因此研究 /
FPGA
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