肖特基栅结构场效应晶体管热特性测试仪BJUT-TTE-H.PDFVIP

半导体器件可靠性物理研究室 Lab. Semicond. Dev. Reliab. Phys. 肖特基栅结构场效应晶体管热特性测试仪 (BJUT-TTE-H) 技术特点 根据JEDEC 静态测量法原理，一次性GaAs MESFET/GaN HEMT 采集 瞬态温升曲线，采样率1 MHz； 通过数据分析软件对采集数据进行处理，直接得到各结构层的热阻值； 测量过程自动、快速、精确、非破坏； 具有多项国家发明专利技术。 BJUT-TTE-H是由北京工业大学研发的肖特基栅结构场效应晶体管热特性测试仪，采用全 新的测量理念，拥有友好的人机操作界面，较高的数据处理能力，相比传统热电偶、红外成 像等测试手段，其能有效测量器件纵向热阻，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等 优点。BJUT-TTE-H利用结构函数（Structure Function ）分析法能方便快捷地测得HEMT器件 热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测 试的强大支持工具。使用该仪器能帮助您有效降低产品故障率，获取器件热特性，进行不合 格器件筛选等。 1 半导体器件可靠性物理研究室 Lab. Semicond. Dev. Reliab. Phys. 一、 组件配置  测试仪主机：2U 标准机箱，显示器  温度控制设备：恒温槽+微通道水冷恒温平台(恒温控制范围：室温--95 ℃；精度：±1℃)  线性电源：0-20V （可选配），0-1A （可选配）  测量及数据分析软件（包含结构函数算法） 二、 应用范围及功能  应用范围：  肖特基栅结构场效应晶体管热特性分析  对肖特基栅结构场效应晶体管散热不合格产品筛选  为肖特基栅结构场效应晶体管封装设计提供实验数据  功能：  肖特基栅结构半导体场效应晶体管芯片热阻测量；  接触热阻测量，包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试；  散热器、热管等各种复杂散热模组的热特性分析。 三、 测试原理 根据JEDEC 静态测量法原理，通过测量肖特基结电压随温度的变化关系，即，温度系数， K V / T ，采集肖特基结电压随时间变化的瞬态响应曲线的到器件沟道瞬态温升曲线，根 据公式Rth T / P 计算稳态热阻，将瞬态温升曲线转换为结构函数形式，方便用户分析器件 热流路径上各层材料对热阻 （温度）的贡献。 2 半导体器件可靠性物理研究室 Lab. Semicond. Dev. Reliab. Phys. 四、 测量方法  测量温度系数K 调节恒温平台温度，在不同温度下测量肖特基结电压，建立测试电流下结电压与环境温 度之间的线性关系。 温度系数  通入工作电流Ids ，使结温升高并达到稳定状态；  关断工作电流Ids 、快速切换至测试正向肖特基电流Igs ；  采集栅源肖特基栅结电压随时间的变化，结合温度系数K ，即可得到降温曲线；  通过对降温曲线的处理，得到肖特基栅结构半导体场效应晶体管稳态热阻以及芯片、焊 料和散热器不同部位热阻构