透明导电膜材料与制程-国立彰化师范大学.PDFVIP

透明導電膜材料與製程 1. 透明導電膜材料 薄膜材料在可見光範圍內 （波長380-780 nm ）具有 80%以上的透光率，電阻值低於 1×10-3Ωcm ，則可稱為透 明導電薄膜[16] 。隨著時代的進步，各種電子產品不斷推陳出新，因應製程上的需要，許多半導體材料不斷被開發與 應用，尤其在光電產業中，透明導電膜由於兼具透明與導電兩種特性，近年來的應用領域及需求量不斷地擴大 。 製備透明導電膜的材料大致上可歸納為兩類[16,17] ，一類是薄金屬膜，另一類是金屬氧化物膜，茲分述如下： （一） 薄金屬膜 金屬材料本來就可導電，是良好的紅外線反射體，同時也會反射可見光，其自由載子的濃度約為1023/cm3 ，使 得金屬的電漿頻率落在紫外光區，在可見光區是不透明的，但只要金屬膜夠薄也會有某種程度的透光性，即薄金屬膜 （如金、銀、銅、鉑等薄膜），如果要增加可見光區的透明度，同時又維持紅外光區的強反射性，必須將金屬製成薄 膜，厚度須低於10nm 。理論上，薄金屬膜可以成為良好的透明導電膜，但實際上極大部份的金屬在製成厚度低於 10nm的薄膜時，都會變成島狀 （Island-like ）不連續膜。而使薄膜的電阻值升高。而且當島狀結構變大時，會散射 入射光而非穿透。若使其它條件都相同，要得到足夠的導電度需增加膜厚，則會造成光吸收。目前已有許多不同的方 法可以克服島狀不連續膜的缺點，而得到導電率較高的薄膜[18] ，例如：在基材表面加靜電場、以電子或離子撞擊基 材表面，或在基材表面與金屬膜間鍍上一層結合層等。雖然如此可製得連續的金屬膜，但薄膜的導電率仍受到表面效 應（Surface effect ）及雜質影響。而所謂的表面效應是指傳導電子受薄膜表面散射，因此基板表面和薄膜的平整性 都將會影響到薄膜的導電率。在理論上，可以預估薄膜的平整性與薄膜厚度對導電性的影響 ；當薄膜厚度低於電子的 平均自由路徑（Mean free path ）時，電阻隨薄膜表面平整度的降低而急遽增加[19] 。此外，尚還必須克服的問題來 自雜質濃度，若金屬膜內含金屬性的雜質，電阻率將升高5至10倍；至於若含有如氧化物等的絕緣體或半導體雜質 ， 則電阻率將會升高好幾個數量級 。綜合上述可知：金屬的透明導電膜較不易被製備。 （二） 金屬氧化物半導體膜 透明導電氧化物（Transparent conducting oxide, TCO ）首見於1907年Badeker發現金屬鎘（Cd ）的薄膜在氧 化後具有透明又導電的性質。而為了獲得可見光區的透明性，所選用材料之能隙寬度必須大於可見光的能量，即須大 於3.0eV以上。此種純材料在室溫下是絕緣的，為了增加它的導電性，常會藉由摻入一些雜質來改善其電性，而摻雜 的方式有下列兩種： （1 ）摻入比原化合物的陽離子多一價的金屬離子，如在氧化銦中摻錫的ITO （In O :SnO ）[7] 2 3 2 膜、在氧化錫中摻銻的ATO （Sb O :SnO ）膜[20] ，或摻入比其陰離子少一價的非金屬離子，如氧化錫中氟氣的 2 3 2 FTO(F :SnO )膜[21] ，（2 ）製造非化學計量 （Nonstoichiometric ）的半導體化合物；即半導體內含有陰離子空缺。 2 2 上述兩種摻雜方式都能有效提高膜的導電度 ，對此類的透明導電膜而言，它的性質和摻雜離子有密切的關係。意味著 ， 要得到良好的透明導電膜必須要控制薄膜的氧化狀態及雜質離子摻入的質和量。 代表性的 TCO 材料有氧化銦（In O ），氧化錫（SnO ），氧化鋅（ZnO ），氧化鎘（CdO ），氧化銦鎘（CdIn O ）， 2 3 2 2 4 氧化錫鎘 （Cd SnO ），氧化錫鋅（Zn SnO ）和氧化銦摻雜（doped ）氧化鋅 （In O -ZnO ）等[22] 。這些氧化物 2 4 2 4 2 3 半導體的能隙都在 3.0eV 以上，所以可