ACT30廉价低功耗待机电源控制器.docVIP

ACT30廉价低功耗待机电源控制器 特色： 最低的元件成本。 0.15W极低的待机功耗。 发射极驱动模式的高压功率NPN晶体管反激式变换。 打呃式短路保护。 电流型工作。 过流保护。 自动恢复起动的欠压保护。 专利的可量度的输出驱动技术。 65KHz或100KHz开关频率。 可选0.4A或1.2A限流点。 应用： 充电器。 适配器及小功率脱线AC/DC。 PC待机电源。 图1 ACT30 的最简单的应用电路 介绍 ACT30是一款高性能绿色节能的脱线电源控制器，特色有可量度的驱动外部NPN或MOSFET作功率开关。该专利的实现可使许多先进特色技朮集成到一个小型封装的半导体器件中，达到最低成本。 ACT30设计有6个内部端子，是一个脉冲频率及宽度调制的控制器。具有多种封装选择，可将端子柔进3PIN的TO-92，对65KHz，100KHz开关频率，及400mA，800mA电流限制，E版本可有更高的限流点。 待机消耗仅0.15W，有过流保护，打呃式短路保护及欠压保护。 ACT30是一款理想的高性能有全电压适应能力的充电器。对于更高性能版本，有最低成本及最小的PCB面积（ACT30～ACT32）。 引脚功能描述 1PIN.VDD。电源电压，接至光耦的发射极，内部限制为5.5V。用一补偿网络旁路到GND。 2PIN.GND。 3PIN.驱动输出。（TO-92），外接功率NPN的发射极或MOSFET的源极，驱动端内部接到DRV1(A/C)，而(B/D)直接接DRV1，DRV2。 对于SOT-23. 3PIN为频率设置外接200KΩ的下拉电阻到Vcc处是100KHz工作频率，接到GND即为65KHz工作频率。 功能叙述 图2展示出功能方框图，包括开关控制逻辑，两个片上中压的功率MOSFET，它们有并联的电流检测器。驱动器，振荡器和斜波发生器，限流用的V/C发生器，误差比较器，打呃控制，偏置及欠压锁定电路，稳压电路。 图2 ACT30 的内部等效电路 如图2所示，设计有6个集成端子，VDD为电源端，DRV1及DRV2为驱动输出。它可以驱动外部高压晶体管发射极，此发射极驱动器能令高压VCBO的晶体管工作，使低成本的13003（700V）等能用于AC输入，低频率限制的驱动耦合，使外部NPN上有很低的EMI。 驱动峰值电流设计来供给VDD，所以低的电压自动地达到高值的驱动电流，用此方法，光耦即可控制VDD供给驱动电流。 起动顺序 图1示出简单的应用电路。起始小电流通过电阻R1给电容C1充电，而BJT作为跟随器带给DRV1电压，内部调节器产生出VDD电压为3.6V（A/C）或4.6V（B/D）。但限制它在5.5V最大。在VDD跨越5V时，调整器停止工作，VDD即下降。当VDD降到4.75V以下时，IC又开始工作，增加驱动电流，当输出电压达到调整点，光耦反馈电路停止VDD，令其减少。开关功能还允许辅助绕组超出供给C1电容，图3示出典型的起动顺序。 图3 ACT30 的起动顺序 为限制辅助电压，使用一个12V齐纳给ACT30A/C，或13V齐纳给ACTB/D供电。 甚至可通过2MΩ电阻来提供低的起动电流，在R1的实际值选择时，考虑待机功耗及起动时间延迟量。 正常工作 在正常工作时，从二次侧送回来的反馈信号通过光耦传输到VDD端，它有9KΩ的动态阻抗，结果VDD电压会影响IC的开关，如功能框图所见。电流限制V/C发生器，用VDD电压与4.75V之差产生一个成比例的偏置给误差比较器的反相输入端子处。 驱动器在每个开关周期开始时导通，电流检测电阻的电流，系变压器初级电流的几分之一，随时间增加，初级电流也在增加，当电流检测电阻的电压加到振荡器斜波信号上，即为比较器负输入端电压，此时驱动器关闭，这样峰值DRV1的电流有一个负的系数，为-0.29A/V，可由下式计算出。 I DRV1PEAK = 0.29A/V * (4.75-VDD) VDD4.75 D50% 当输出电压比稳定值低时，进入VDD端的电流为0，VDD电压即减少，在VDD=VUV=3.35V时，峰值DRV1的电流为400mA的最大值。 限流调节 IC的专利驱动器安排允许限流点很容易在0.4A～1.2A之间调节。为了解这一点，驱动器必须利用线性电阻器件（典型为3.6Ω）做电流限制，然后可以计算出来，通过图4