集成电路专用设备企业所得税优惠目录.docVIP

附件2 集成电路专用设备企业所得税优惠目录 序号 产品名称 应用领域 主要技术指标 一、集成电路硅单晶片生长加工设备 1 硅芯炉 用于多晶硅生长载体——硅芯的制备。 1.原料规格：直径75―80毫米，长度450毫米 2.成品规格：直径7―8.5毫米，长度2500―2800毫米 3.生产能力：≥5根/次，≥15根/炉次 2 带锯截断机床 用于硅单晶棒切断、切头尾。 1.最大装夹：直径≥8英寸，长度≥1500毫米 2.加工精度：8英寸，凹凸误差≤±0.2毫米 3 X射线晶体定向仪 利用X射线衍射原理，精密快速地测定半导体晶体的切割角度，与切割机配套用于上述晶体的定向切割。 1. X射线管：铜靶，阳极接地强制风冷 2. 管电压：30千伏；管电流：0―50毫安，连续可调 3. 整机功耗：不大于0.3瓦 4.计数管电压：500伏―1100伏 5.时间常数：0.1、0.4、3秒三档 4 全自动软轴单晶炉 生产大规模集成电路所需要的高质量单晶。 1. 生长晶体的直径范围：8 -12英寸 2. 熔料重量：≥100千克 3. 原料：多晶硅原料 4. 硅单品等径长度：≥1000毫米（8英寸） 5. 主炉室尺寸：直径900毫米，长度1250毫米 5 多线切割机 用于90-65纳米集成电路用300毫米硅片及以下直径半导体硅片的加工。 1.自动最大切割尺寸：直径310毫米，长度400毫米 2.使用线径：0.1 -0.18毫米 3.工作台切割速度：0.01 -9毫米／分钟 6 精密双面抛光机 用于12英寸及12英寸以下集成电路硅片的双面抛光。 1. 抛光盘尺寸：430 -1420毫米 2. 游轮参数：齿数Z=105，齿距P=15.7 3. 游轮数量：5片 4. 硅片加工后GBIR（抛光前GBIR＜2微米，去除量约为10-40微米）≤0.6微米 5. 硅片加工后SFQR( cell size25×25) PUA95%（大）≤0.07微米（EE=2毫米） 二、集成电路晶圆芯片生产设备 1 0.1微米1CFM大流量激光尘埃粒子计数器 用于测量集成电路晶圆生产超净室单位体积空气中的微细尘埃粒子的粒净及数量。 1.粒径通道：0.1、0.3、0.5、1、5、10 2.采样流量：≥50升／分钟 3.传感器信噪比：＞3:1 2. 介质等离子刻蚀机 用于集成电路芯片极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀，浅槽刻蚀等介电质刻蚀工艺。 1. 晶圆尺寸：8-12英寸 2. 线宽：≤90纳米 3. 深宽比刻蚀能力：≥30:1 4. 刻蚀速度：＞8000埃米／分钟 5. 刻蚀均匀性误差：＜3% 6. 线宽精度：＜3纳米 7. 模板刻蚀选择性：＞1O:1 8. 微粒杂质：＜10个 3 高密度等离子刻蚀机 适用于多晶硅栅极刻蚀、浅沟槽隔离刻蚀、原位硬掩膜刻蚀和光刻胶调整等多种工艺应用。 1.晶圆尺寸：8-12英寸 2.线宽：≤100纳米 3.深宽比：≥50：1 4 匀胶显影机 用于硅晶圆片涂复光刻胶和显影。 1. 晶圆尺寸：6-12英寸 5 晶圆片清洗设备 用于集成电路硅晶圆片抛光、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等工艺的清洗。 1.晶圆尺寸：8-12英寸 2.线宽：≤90纳米 3.颗粒清除效率( PRE)：99% 4.兆声波能量费均匀度：2% 6 集成电路光掩模清洗设备 用于集成电路光掩模的正反两面自动进行清洗 1.自动进行酸洗、碱洗、兆声洗、去离子热水及冷水清洗 2.线宽：≤130纳米 3. 产量：≥3片／小时 7 快速退火炉 用于对集成电路硅晶圆片进行热处理。 1. 晶圆尺寸：8 -12英寸 2. 温控范围：400-1200℃ 3. 控温精度：≤±2℃ 8 大角度离子注入机 用于集成电路源漏区的晕(Halo)、袋(Pocket)、栅阀值调整(Vt)等进行离子注入工艺。 1. 晶圆尺寸：8 -12英寸 2. 离子源寿命：＞300小时 3. 离子源能量：5-810千电子伏 4. 离子种类：B+、P+、As+、Ar+ 5. 传送速度：≥230片／小时 9 立式氧化炉 用于集成电路干氧氧化、氢氧合成湿氧氧化、DCE氧化、氮氧化硅氧化和退火工艺。 1. 硅晶圆片直径：8-12英寸 2. 最大处理枚数：125枚（12英寸） 3. 恒温区：1044毫米 10 铜互连清洗设备 用于集成电路通孔刻蚀后、沟槽刻蚀后、衬垫刻蚀后的清洗和背面清洗、边缘清洗以及铜互连化学机械抛光清洗。 1. 硅晶圆片直径：12英寸 2. 线宽：≤65纳米 3. 腔室数量：8-10个 4. 产能：≥160片／小时 11 扩散炉 用于集成电路硅晶圆片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。 1. 晶圆尺寸：8-12英寸 2. 工作温度：400-1300℃ 3. 恒温区温度精度：≤±0