[理学]15-12半导体.ppt

外加正向电压越大， 形成的正向电流也越大，且呈非线性的伏安特性。 U （伏） 30 20 10 （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I 锗管的伏安特性曲线 反向偏压 p-n结的p型区接电源负极，叫反向偏压。 阻挡层势垒升高、变宽，不利于空穴向n区运动，也不利于电 和 同向， I 无正向电流 p型 n型 + ? 子向p区运动。但是由于少数载流子的存在，会形成很弱的反向电流，称漏电流（?Ａ级）。 当外电场很强，反向电压超过某一数值后，反向电流会急剧增大 — 反向击穿。 V (伏) I -10 -20 -30 （微安） 反向 -20 -30 击穿电压 用p ? n结的光生伏特效应，可制成光电池。 p - n结的应用：用p ? n结的单向导电性，可制成晶体二极管（diode），做整流、开关用 加反向偏压时，p ? n结的伏安特性曲线如左图。 p n p n pn 结 的 伏 安 特 性 曲 线 p n p 偶电层 n - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + 空穴 电子 动平衡时 p 型与 n 型接触区域的电势变化 p-n结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管（trasistor）和其他一些半导体器件。 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路 晶体管 （ 1947 ） （1962 ） （80年代 ） 103 105 甚大规模集成电路 巨大规模集成电路 107 109 （70年代 ） （90年代 ） （现在） 晶体管的发明 1947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。 1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。 巴丁 J.Bardeen 布拉顿 W.H.Brattain 肖克利 W.Shockley 每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。 INMOS T900 微处理器 四 光生伏特效应 P n 光 这种由光的照射，使 pn 结产生电动势的现象，叫做光生伏特效应 . * 第十五章 量子物理 15 – 12 半导体 * 一 固体的能带 + 完 全 分 离 的 两 个 氢 原 子 能 级 + 两个氢原子靠 得很近时的能级分裂 六个氢原子靠 得很近时的能级分裂 固态晶 体的能带 每个能级有 个量子态 每个能级容纳 个电子 每个能带容纳 个电子 金属钠的各 能带上电子的分布 实验表明: 一个能带中最高能级与最低能级之间的间隔一般不超过 的数量级 . 由于原子数 的数量级为 .所以一个能带中相邻能级间间隔约为 . 电子在周期势场中的运动 电子共有化 孤立原子中电子的势阱 电子能级 + 势垒 固体（这里指晶体）具有由大量分子、原子或离子的规则排列而成的点阵结构。 电子受到周期性势场的作用： a 解定态薛定谔方程， 可以得出两点重要结论： 1.电子的能量是量子化的； 2.电子的运动有隧道效应。 原子的外层电子（在高能级） 势垒穿透概率较大，电子可以在整个固体中运动 原子的内层电子与原子核结合较紧，一般不是 共有化电子。 称为共有化电子。 晶 体 的 能 带 禁带 禁带 导带 价带 （非满带） 空带 价带 （满带） 导带 导体在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子很易从低能级跃迁到高能级上去。 E 绝缘体的能带结构 E 空带 空带 满带 禁带 ΔEg=3～6eV 从能级图来看，是因为满带与空带间有一个较宽的禁带（?Eg ：3～6 eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。 绝缘体在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。 当外电场足够强时，共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中，使绝缘体被击穿 。 1. 本征半导体（semiconductor） 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。 本征半导体的能带结构 ?Eg