GaK双掺杂P型Bi05Sb15Te3材料的制备及热电性能.PDFVIP

第44 卷 第3 期 稀有金属材料与工程 Vol.44, No.3 2015 年 3 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING March 2015 Ga、K 双掺杂P 型Bi0.5Sb1.5Te3 材料 的制备及热电性能 段兴凯，胡孔刚，丁时锋，满达虎，张汪年，马明亮 (九江学院，江西 九江 332005) 摘 要：采用真空熔炼和热压方法制备了Ga 和K 双掺杂Bi Sb Te 热电材料。XRD 结果表明，Ga Bi Sb K Te 0.5 1.5 3 0.02 0.5 1.48-x x 3 块体材料的XRD 图谱与Bi0.5 Sb1.5Te3 的XRD 图谱对应一致，但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移。热压块体材料中存 在明显的(00l) 晶面择优取向。SEM 形貌表明材料组织致密且有层状结构特征。Ga 和K 双掺杂可使Bi0.5 Sb1.5Te3 在室温 附近的Seebeck 系数有一定的提高，而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高，其中Ga0.02Bi0.5 Sb1.42K0.06Te3 样品 的电导率得到较明显的改善。在300~500 K 测量温度范围内，所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5 Sb1.5Te3 的热导率，在 300 K 附近双掺杂样品的ZT 值得到提高，其中Ga0.02Bi0.5 Sb1.42K0.06Te3 样品在300 K 时ZT 值达到 1.5。 关键词：双掺杂；真空熔炼；热压；显微结构；热电性能 中图法分类号：TB34 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2015)03-0759-04 半导体热电材料是一种实现热能与电能之间相互 展[20-23] ，但基于碱金属及IIIA 族元素双掺杂对Bi Te 2 3 直接转换的功能材料，它具有尺寸小、可靠性高、无 基合金热电性能的影响仍然不是很清楚，本研究采用 传动部件、无噪音、无污染等优点，在各种余热废热 真空熔炼并结合热压烧结方法制备了 Ga 和K 双掺杂 的回收利用以及空间特殊电源等领域具有广阔的应 Bi0.5 Sb1.5Te3 块体热电材料，研究了 Ga 、K 双掺杂对 [1,2] 用前景 。热电转换效率取决于热电材料的无量纲 Bi0.5 Sb1.5Te3 热电性能的影响。 2 因子ZT 值的大小，ZT=S σΤ/κ，其中S 是 Seebeck 系 1 实 验 数，σ是电导率，T 是绝对温度，κ是热导率。热电材 料的能量转换要求材料具有很好的电子传输特性 Bi （99.99% ），Sb （99.99% ），Te （99.99% ）， ( 即高的电导率和 Seebeck 系数) 以及低的热导率。 Ga （99.99% ）和 K （99.5% ）元素粉末分别依据 Bi Te 基合金是室温附近最有效的、并且已商业化的