EM642FU8BT-55S中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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2018-05-31 发布于河南
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EM642FU8BT-55S中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EM620FV8B系列系列低功耗低功耗,256Kx8 SRAM 文档标题文档标题 256K×8位低功耗和低电压全位低功耗和低电压全CMOS静态静态RAM 修订记录修订记录版本号版本号历史历史草案日期草案日期备注备注 0.0 初稿草案年6月7,2007年 0.1 0.1版本删除字节选项信息二零零七年六月十五日 0.2 0.2版本删除UB,LB信息 2007年6月21 日, 0.3 0.3版本修订VOH （2.2V至2.4V）,TOH （15ns至为10ns）, 2007年7月2 日, TOE-55 （为30ns至25ns ）,TWP-55 （为45nS至40ns ）, TWP-70 （55ns至50ns ）,tWHZ-70 （为25ns至20ns ）, ICC （2mA至3毫安）,ICC1 （2mA至3毫安） 0.4 0.4版本 V 从2.0V到2.2V电平变化 8月16个,2007年 IH 芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EM620FV8B系列系列低功耗低功耗,256Kx8 SRAM 256K×8位低功耗和低电压位低功耗和低电压CMOS静态静态RAM 特征特征 - 工艺技术：0.15μm全CMOS 56 29 - 组织：256K X8 - 电源电压