[信息与通信]现代功率模块及器件应用技术.pdf

现代功率模块及器件应用技术(1)-IGBT 和MOSFET 功率模块 0 引言 最近20 年来，功率器件及其封装技术的迅猛发展，导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力 电子装置要具有宽广的应用范围、量体裁衣的解决方案、集成化、智能化、更小的体积和重量、效率更高的芯片、 更加优质价廉、更长的寿命和更短的产品开发周期。在过去的数年中已有众多的研发成果不断提供新的、经济安全 的解决方案，从而将功率模块大量地引入到一系列的工业和消费领域中。 因此，有必要就功率模块的应用技术，如选型、驱动、保护、冷却、并联和串联以及软开关电路等，进行一次全 面的系列介绍。 1 IGBT 和MOSFET 功率模块 1.1 应用范围 如图1 所示，当前众多的电力电子电路可由功率MOSFET 或IGBT 来实现。从上世纪80 年代开始，它们先后出 现于市场。与传统的晶闸管相比，它们具有一系列的优点，如可关断的特性（包括在短路状态下）、不需要缓冲网 络、控制单元简单、开关时间短、开关损耗低等。 图1 功率半导体的应用范围 现在，电力电子技术不断地渗透到新的应用领域中，这首先归功于IGBT 和功率MOSFET 的迅速发展。同时， 它们的应用在其现有的领域内也在不断地深化。数年前，高耐压双极型功率晶体管还被广泛地应用着。而现在只能 在少数例外情况下发现它的踪影，其位置已几乎完全被IGBT 所取代。 在电流达数十A 或以上的应用中，功率MOSFET 及IGBT 大多为含有硅芯片的绝缘式功率模块。这些模块含有 一个或数个晶体管单元，以及和晶体管相匹配的二极管（续流二极管），某些情况下还含有无源元件和智能部分。 虽然功率模块存在仅能单面冷却的缺点，但它还是被广泛地应用于大功率电力电子技术中，与同期问世的平板式 IGBT/二极管器件一争高低。尽管平板式器件在双面冷却的条件下可以多散发约30 ％的热损耗，但功率模块仍然受 到用户广泛的欢迎。其原因除了安装简易外，还在于模块的芯片和散热器之间的绝缘、其内部多个不同元器件的可 组合性、以及由于大批量生产而导致的低成本。 在当今的市场上，尽管各种有竞争性的功率器件都在不断地发展，但是IGBT 模块却稳稳胜出，它的功率范围也 在不断延伸。目前生产的IGBT 模块已具有了65kV、4.6kV 、3.3kV 和2.5kV 的正向阻断电压。以此为基础，MW 级的、电压至6kV 的变流器（采用IGBT 串联的电路）已经出现。 另一方面，MOSFET 则被应用于越来越高的频率范围。今天，使用合适的电路拓扑与封装技术，已经可以在500kHz 以上实现较大的电流。 IGBT 和MOSFET 模块已经成为集成电子系统的基本器件，同时也正在成为集成机电系统的基本器件。 1.2 结构和基本功能 下面所述的功率MOSFET 和IGBT 均指n 沟道增强型，因为，它代表了构成功率模块的晶体管的主流。 在一个正向的驱动电压作用下，一块p 导通型的硅材料会形成一个导电的沟道。这时，导电的载流子为电子（多 子）。在驱动电压消失后，该器件处于截止状态（自截止）。 在大多数情况下，人们采用图2 和图4 所示的垂直式结构。在这里，栅极和源极（MOSFET ）或发射极（IGBT ） 均位于芯片上表面，而芯片底面则构成了漏极（MOSFET ）或集电极（IGBT ）。负载电流在沟道之外垂直通过芯 片。 在图2 所示的功率MOSFET 和图4 所示的IGBT 具有平面式栅极结构，也就是说，在导通状态下，导电沟道是 横向的（水平的）。 平面栅极（在现代高密度晶体管中更发展为双重扩散栅极）仍是目前功率MOSFET 和IGBT 中占统治地位的栅 极结构。 平面式MOSFET 和IGBT 结构是从微电子技术移植而来的，其漏极或集电极由n＋ （MOSFET ）或p＋ （IGBT ） 井区构成，位于芯片表面。负载电流水平地流经芯片。借助于一个氧化层，n 区可以与衬底相互隔离，从而有可能 将多个相互绝缘的MOSFET 或IGBT 与其他结构一起集成于一个芯片之上。 由于平面式晶体管的电流密度仅能达到垂直式结构的30 ％，因而明显地需要更多的安装面积，所以，它们主要 被用在复杂的单芯片电路中。 从构造上来看，功率MOSFET （图2 ）以及IGBT （图4 ）由众多的硅微单元组成。每cm2 芯片上的单元数可达 8.2×105 （最新的耐压为60V 的MOSFET ）以及1×105 （高耐压IGBT ）。 图2 、图4 显示了MOSFE