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基本元件结构
基本元件結構
• 所有半導體元件皆由幾種基本元件結構所組成
• Metal-semiconductor interface
• p-n junction
• Heterojunction interface
• MOS (metal-oxide-semiconductor)
金半界面
( Metal-semiconductor interface )
• 整流接觸—使電流只能由單一方向流過
• 歐姆接觸—電流可以雙向通過, junction之電壓差極小
• 相關元件
金半場效電晶體(MESFET); 主要微波元件
gate:整流接觸
drain source:歐姆接觸
p-n 接面
• p型半導體和n型半導體接觸
• 相關元件
p-n-p 雙載子電晶體(p-n-p bipolar transistor)
p-n-p-n 閘流體(thyristor); 切換元件
P-N Junction
Bipolar Transistor
Planar Process
異質界面
(Heterojunction interface)
• 兩種不同材質的半導體接觸形成的界面
• 相關元件
快速元件
光電元件
Ex: GaAs-AlAs
金氧半結構
(metal-oxide-semiconductor; MOS)
• 金屬-氧化層-半導體結構
• 積體電路晶粒中最重要的元件-
金氧半場效電晶體(MOSFET)
gate: MOS
drain source: p-n junction
MOS Transistor
主要半導體元件 用途
金半接觸( MS junction )
發光二極體( LED ) 某些晶體兩端加電壓會發出色光
雙載子電晶體( BJT )
將輸入信號放大
p-n 接面
切換元件 閘流體( Thyristor )
太陽電池( solar cell ) 將太陽光直接轉換成電能
異質接面雙載子電晶體( HBT ) 改善電晶體特性,使元件加速
穿隧二極體( Tunnel Diode ) 載子傳輸
主要半導體元件 用途
電荷耦合元件( CCD ) 用於Video Camera
共振穿隧二極體 量子效應元件的基礎。超強功
能,可大量減少元件數量。
調變摻雜場效電晶體( MODFET ) 加速之FET
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