多晶硅太阳电池的酸腐绒面技术.pdfVIP

晶体硅太阳电池及材料．55． II iii暑暑置昌皇昌暑；宣暑宣暑i宣iii宣ii宣i暑暑置萱T[]mr 多晶硅太阳电池的酸腐绒面技术 。刘新民 108) (瀚悦上海化工有限公司，上海市201 摘 要 目前，太阳能光伏市场中多晶硅(mc．Si)太阳电池所占据的份额是最大的。已经出现的mc．Si绒面技术主要 lain以 有机械刻槽，等离子蚀刻以及激光刻槽和各向同性的酸腐蚀。机械刻槽的绒面方法要求硅片厚度在200 上，因为刻槽的深度一般在50¨m的量级上所以它对硅片的厚度要求很高，这样的技术会增加材料成本。等 离子蚀刻制备出绒面的陷光效果是非常好的，但是，它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在绒面 的制作过程中，可能会引入机械应力和损伤，在后处理中形成缺陷。酸腐蚀绒面技术可以比较容易地整合到 当前的太阳电池处理工序中，它应用起来基本上是成本最低的，最有可能广泛应用的mc．Si太阳电池绒面技 术。 关键词 光伏会议；酸蚀刻；多孔硅膜；蚀刻深度。 1前 言 的有效少数载流子寿命比mc．Si材料的高；另一方面，单晶硅太阳电池表面的陷光效果要优于mc—Si。因为 少数载流子寿命是由于材料本身的特性决定的，当材料选定后就很难改变，所以，要缩小mc—Si太阳电池与 单晶硅太阳电池之间效率上的差距，提高mc．Si表面对光的吸收是最有希望的办法，也就是采用绒面技术(表 面织构化)。目前，已经出现的mc．Si绒面技术主要有机械刻槽，等离子蚀刻以及激光刻槽和各向同性的酸腐 蚀。机械刻槽的绒面方法要求硅片厚度在200pan以上，因为刻槽的深度一般在50lain的量级上所以它对硅 片的厚度要求很高，这样的技术会增加材料成本。等离子蚀刻制备出绒面的陷光效果是非常好的，但是，它需 要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在绒面的制作过程中，可能会引人机械应力和损伤，在后处理中形 成缺陷。酸腐蚀绒面技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中，它应用起来基本上是成本最低的， 最有可能广泛应用的ITIC．Si太阳电池绒面技术。 2酸腐蚀法制备绒面的基本原理 硅片在切割过程中表面留有大约10—20pan的锯后损伤层，对制绒有很大影响，因此在制绒前将其除去。 目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以HF．HN03为基础的水溶液体系，其基理为HN03给硅表面提供空穴， 面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成的粗糙的多孔硅层，有利于减少光反射，增强光吸收表面，为了控制化 学反应的剧烈程度，有时还加入一些其他的化学品。酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，因此酸腐蚀又称为各 向同性腐蚀。 ’通讯作者：刘新民，男，联系E-mail：liuxrn06813@sohu．corn ．56． 第十届中国太阳能光伏会议论文集 3Si+4HN03=3S102+2H20+4NOT Si02+6HF=H2[SiF6]+2H20 另外一种基理为酸与硅的反应可以看作局部电化学过程，在反应发生的地方形成了阳极和阴极，反应的过 程中有电流在它们之间流过。阳极是硅的溶解反应，阴极是HN03的消耗反应，阳极、阴极及总的反应可由 下式表示： HF—+H2Si6+2 阳极：Si+2H20+nh—+Si02+4 H20 H+(4一n)e_—．Si02+6 H—NO+2H20+3h 阴极：HN03+3 总体的反应式： 3si“HN03+18HF_3H2SiF6+4NO+8 电荷数量，h表示正电荷或者空穴，e表示电子。 通过扫描电镜照片，可观察到经过腐蚀，在多晶硅的表面形成了