模拟电子线路PPT教案课件-第3章 场效应晶体管及其放大电路精选.pptVIP

模拟电子技术 图3.3.2 (b)共源放大器电路低频小信号等效电路 r ds D S U o R D R L + _ + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 g m U gs u i ＋ － C 2 C 1 C 3 R D u o ＋ － R G1 R G3 R S2 U DD R G2 ＋ R S1 150k 50k 2k 10k 1k ＋ ＋ 1M R L 1M g m ＝5mA/V 图3.3.2 (a)含有源极电阻的共源放大电路 例3.3.2 试画出低频小信号等效电路，并计算增益Au。 图3.3.2 (b)含有源极电阻的共源放大电路的等效电路 g m U gs D S U o R S 1 R D R L r ds + _ + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 C 2 C 1 R G1 R S U DD R G2 150k 50k 2k ＋ ＋ R L 10k U o R G3 1M ＋ － ＋ － U i g m ＝2mA/V 图3.3.4 (a)共漏电路 3.3.3共漏放大电路 图3.3.4 (b)共漏电路等效电路 U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ 1. 放大倍数Au 2.输入电阻 U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ 3. 输出电阻Ro U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ I o uDS增大，沟道预夹断后情况 漏源电压VDS对沟道的影响.avi B U DS P 型衬底 U GS N + N + 图3.1.9N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 i D 0 u D S U GS ＝ 6V 截止区 4 V 3 V 2 V 5 V 可 变 电 阻 区 恒 流 区 区 穿 击 (1)截止区 uGSUGSth (2)可变电阻区 uGSUGSth; 或uDSuGS-UGSth uGDUGSth 3. N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 图3.1.9N沟增强型MOSFET的输出特性曲线 i D 0 u D S U GS ＝ 6V 截止区 4 V 3 V 2 V 5 V 可 变 电 阻 区 恒 流 区 区 穿 击 (3)恒流区 uGSUGSth; uGDUGSth 或uDSuGS-UGSth u G S / V 0 3 2 1 1 2 3 4 5 U GS th i D / mA 图3.1.7 N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线 4. N沟增强型MOSFET的转移特性曲线 恒流区 二、N沟道耗尽型 MOSFET(Depletion NMOSFET) UGS=0，导电沟道已形成 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬底 N ＋ 图3.1.10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)电路符号 ( c ) D G S B 图3.1.10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)电路符号 3.1.3 场效应管的参数 一、直流参数 1.饱和漏极电流IDSS： 2.夹断电压UGSoff：当栅源电压uGS=UGSoff时，iD=0。 对应uGS=0时的漏极电流。 3.开启电压UGSth。 4.输入电阻RGS JFET，RGS在108~1012Ω之间; MOSFET，RGS在1010~1015Ω之间。 通常认为RGS →∞。 二、极限参数 (1)栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2)漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 三、交流参数 1.跨导gm 对JFET和DMOSFET 那么 对EMOSFET 那么 2.输出电阻rds 恒流区的rds可以用下式计算 UA为厄尔利电压。 D G S D G S N 沟道 P 沟道 JFET 一、各种场效应管的符号对比 3.2.1 场效应管工作状态分析 3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 D S G B D S G B D S G B D S G B N 沟道 P 沟道 增强型 N 沟道 P 沟道 耗尽型 MOSFET JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。 MOSFET：利用栅源电压（ 输入电压）对半导体表面感生电荷量的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流