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基于MEMORY COMPILER实现075微米高性能SRAM之设计方法
上海交通大学
硕士学位论文
基于Memory Compiler实现0.?微米高性能SRAM之设计方法
姓名:方龙洋
申请学位级别:硕士
专业:软件工程
导教师:施国勇目录图片
图1 SOC中存储器的使用情况
图2 Memory Compiler设计流程图 …
图3 MC2工具整合界面图
图4 Memory Complier整合流程图. …
图 5 Memory Compiler 输入文件
图6 Memory Complier输出数据结构图…
图7 Memory Compiler分区示意图
图8基本电路框架图??丨
图9存储器单元模块整体电路图 …??… 图10 7.56um2 Bit Cell电路与版图- … 图11中央控制器信号连接电路图 …
图12 WLP产生器电路图
图 13 Tracking cell 电路图
图14 WLP信号波形图
图15 SCLK和DCLK的产生器电路图
图16 GWRB产生器电路图
图17 Pre—decoder解码器电路图 …
图18 WLDEC初步设计电路图
图19 改进的WLDEC电路图 图20地址扫描的WL波形???????_
图21 MUX4的IO电路框图
图22 YPASS电路图
图23 IO的主体电路框图 图24读写控制器电路图 图25读写控制信号波形图???_
图26感应放大器的电路图
图27 SA信号工作原理波形图
图28 Write输出单元电路图
图29 Write输出单元波形图
?? 1 ??3 ??3 ??4 ??5 ??5 ??6 ??8 ??9 ?11 12
21 22 23
29
图30 RWCTRL移进CTRL里面的电路图 PAGE \* MERGEFORMAT 6
PAGE \* MERGEFORMAT 7
TOC \o 1-3 \h \z 7. 56 um2 Bit cell 版图 31
CTRL4 Large layout (Left),CTRL4 Small layout(Right)…?? 32
IO4 Large layout (旋转-90 度) 33
2048X256M4 array efficiency 33
Sense amplifier 电路的版图 34
IO4 Small layout (旋转-90 度) 34
Large WLDEC 版图 35
Small WLDEC 版图 35
Power Mesh部分示意图 35
Layout Leaf Cell 分区图 36
Critical Path 的电路图 38
Bit cell 的 RC 模型 39
WLDEC 的 RC 模型 39
Bank的RC模型 40
lO的负载RC模型 40
lO的Bitcell操作点 41
操作的仿真模式图 41
图31图32图33图34图35图36图37图38图39图40图41图42图43图44图45图46图47图48图49Read access waveform((TT/2.5V/25oC) 2kx128m4 (MB))……43 Write access waveform((TT/2.5V/25oC)2kx128m4 (MB))……43表格目录
TOC \o 1-3 \h \z 表 1 Read Margin 数据 44
表 2 Power Consumption(M4)(per MHz) 44
表 3 Timing Margin (M4) 44
表4 本设计与原Artisan公司所得Memory Compiler面积比较表45 PAGE \* MERGEFORMAT 2
上海交通大学 学位论文原创性声明
本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立 进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不 包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究 做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意 识到本声明的法律结果由本人承担。
学位论文作者签名:方龙洋
日期: 0 7 年 0 6月 0 9日
上海交通大学 学位论文版权使用授权书
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意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许
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保密□,在—年解密后适用本授权书。
本学位论文属于
不保密口“^。 (请在以
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